Hytaý wafli öndürijileri, üpjün edijiler, zawod
Ondarymgeçiriji wafli näme?
Ondarymgeçiriji wafli, ýarymgeçiriji materialyň inçe, tegelek bölegi bolup, integral zynjyrlary (IC) we beýleki elektron enjamlaryny ýasamak üçin esas bolup hyzmat edýär. Wafli dürli elektron bölekleriniň gurlan tekiz we birmeňzeş ýüzüni üpjün edýär.
Wafli öndürmek prosesi, islenýän ýarymgeçiriji materialyň uly ýekeje kristalyny ösdürip ýetişdirmek, göwher göwheri ulanyp, hrustaly inçe waflere bölmek, soňra bolsa ýerüsti kemçilikleri ýa-da hapalary aýyrmak üçin wafli arassalamak we arassalamak ýaly birnäçe ädimleri öz içine alýar. Alnan wafli, gaty ýasama we tekiz ýüzüne eýe bolup, indiki ýasama amallary üçin möhümdir.
Wafli taýýarlanylandan soň, elektron komponentleri gurmak üçin zerur çylşyrymly nagyşlary we gatlaklary döretmek üçin fotolitografiýa, efirlemek, çökdürmek we doping ýaly ýarymgeçiriji önümçilik proseslerini başdan geçirýärler. Bu prosesler köp integral zynjyrlary ýa-da beýleki enjamlary döretmek üçin bir waflde birnäçe gezek gaýtalanýar.
Fabricasama prosesi tamamlanandan soň, aýratyn çipler wafli öňünden kesgitlenen çyzyklar boýunça bölmek bilen bölünýär. Aýrylan çipler soňra olary goramak we elektron enjamlara integrasiýa üçin elektrik birikmelerini üpjün etmek üçin gaplanýar.
Wafli boýunça dürli materiallar
Ondarymgeçiriji wafli, esasan, bollygy, ajaýyp elektrik aýratynlyklary we adaty ýarymgeçiriji önümçilik proseslerine laýyklygy sebäpli bir kristal kremniden ýasalýar. Şeýle-de bolsa, aýratyn programmalara we talaplara baglylykda wafli ýasamak üçin beýleki materiallar hem ulanylyp bilner. Ine käbir mysallar:
Silikon karbid (SiC), adaty materiallar bilen deňeşdirilende has ýokary fiziki aýratynlyklary hödürleýän giň zolakly ýarymgeçiriji materialdyr. Netijeliligi ýokarlandyrmak bilen birlikde, aýratyn enjamlaryň, modullaryň we hatda tutuş ulgamlaryň göwrümini we agramyny azaltmaga kömek edýär.
SiC-iň esasy aýratynlyklary:
- Giň zolakly:SiC-iň zolagy kremniniňkiden üç esse köp bolup, has ýokary temperaturada, 400 ° C çenli işlemäge mümkinçilik berýär.
- -Yokary tankydy bölüniş meýdançasy:SiC kremniniň elektrik meýdanyndan on esse çydap biler we ýokary woltly enjamlar üçin amatly bolar.
- -Yokary ýylylyk geçirijiligi:SiC ýylylygy netijeli ýaýradýar, enjamlara amatly iş temperaturasyny saklamaga we ömrüni uzaltmaga kömek edýär.
- - Iň ýokary doýma elektron drift tizligi:Silikonyň süýşme tizligini iki esse köpeltmek bilen, SiC enjamyň miniatýurizasiýasyna kömek edip, has ýokary kommutasiýa ýygylyklaryny üpjün edýär.
Goýmalar:
-
-Power Elektronikasy:SiC güýç enjamlary ýokary woltly, ýokary tokly, ýokary temperaturaly we ýokary ýygylykly şertlerde ýokary bolup, energiýa öwrülişiniň netijeliligini ep-esli ýokarlandyrýar. Elektrik ulaglarynda, zarýad beriş stansiýalarynda, fotoelektrik ulgamlarynda, demir ýol ulaglarynda we akylly setlerde giňden ulanylýar.
-
-Mikrotolkun aragatnaşyklary:SiC esasly GaN RF enjamlary simsiz aragatnaşyk infrastrukturasy üçin, esasanam 5G esasy stansiýalar üçin möhümdir. Bu enjamlar SiC-iň ajaýyp ýylylyk geçirijiligini GaN-iň ýokary ýygylygy, ýokary kuwwatly RF çykyşy bilen birleşdirýär we indiki nesil ýokary ýygylykly aragatnaşyk ulgamlary üçin ileri tutulýan saýlama bolýar.
Galiý nitridi (GaN)Uly zolakly, ýokary ýylylyk geçirijiligi, ýokary elektron doýma tizligi we ajaýyp bölüniş meýdany aýratynlyklary bolan üçünji nesil giň zolakly ýarymgeçiriji materialdyr. GaN enjamlarynyň ýokary ýygylykly, ýokary tizlikli we ýokary energiýa meýdançalarynda LED energiýa tygşytlaýjy yşyklandyryş, lazer proýeksiýa displeýleri, elektrik ulaglary, akylly setler we 5G aragatnaşyk ýaly giň mümkinçilikleri bar.
Galiý arsenidi (GaAs)ýokary ýygylygy, ýokary elektron hereketi, ýokary kuwwatlylygy, pes ses we gowy çyzyklylygy bilen tanalýan ýarymgeçiriji materialdyr. Optoelektronika we mikroelektronika pudaklarynda giňden ulanylýar. Optoelektronikada GaAs substratlary LED (ýagtylyk çykaryjy diodlar), LD (lazer diodlary) we fotoelektrik enjamlary öndürmek üçin ulanylýar. Mikroelektronikada MESFET-ler (metal ýarymgeçiriji meýdan täsirli tranzistorlar), HEMT-ler (ýokary elektron hereketli tranzistorlar), HBT-ler (iki taraplaýyn bipolýar tranzistorlar), IC-ler (integral zynjyrlar), mikrotolkun diodlary we Hall effekt enjamlary öndürilýär.
Indium fosfid (InP)ýokary elektron hereketi, ajaýyp radiasiýa garşylygy we giň zolagy bilen tanalýan möhüm III-V birleşme ýarymgeçirijilerden biridir. Optoelektronika we mikroelektronika pudaklarynda giňden ulanylýar.
