“Semicera” -yň 4 “, 6” we 8 “N görnüşli SiC Ingots, häzirki zaman elektron we elektrik ulgamlarynyň barha artýan isleglerini kanagatlandyrmak üçin döredilen ýarymgeçiriji materiallarda öňe gidişligi görkezýär. Bu ingotlar dürli ýarymgeçiriji programmalar üçin ygtybarly we durnukly binýady üpjün edýär öndürijiligi we uzak ömri.
N görnüşli SiC ingotlarymyz, elektrik geçirijiligini we ýylylyk durnuklylygyny ýokarlandyrýan ösen önümçilik amallaryny ulanyp öndürilýär. Bu, olary netijelilik we ygtybarlylyk birinji orunda durýan inwertorlar, tranzistorlar we beýleki güýçli elektron enjamlary ýaly ýokary güýçli we ýokary ýygylykly programmalar üçin ideal edýär.
Bu ingotlaryň takyk doping, yzygiderli we gaýtalanýan ýerine ýetirijiligini üpjün edýär. Bu yzygiderlilik, howa, awtoulag we telekommunikasiýa ýaly ugurlarda tehnologiýanyň çäklerini öňe sürýän öndürijiler we öndürijiler üçin möhümdir. “Semicera” -nyň “SiC” goşundylary aşa agyr şertlerde netijeli işleýän enjamlary öndürmäge mümkinçilik berýär.
“Semicera” -nyň N görnüşli “SiC Ingots” -ny saýlamak, ýokary temperaturany we ýokary elektrik ýüklerini aňsatlyk bilen dolandyryp bilýän materiallary birleşdirmegi aňladýar. Bu ingotlar, ajaýyp ýylylyk dolandyryşyny we RF güýçlendirijileri we güýç modullary ýaly ýokary ýygylykly işlemegi talap edýän komponentleri döretmek üçin has amatlydyr.
“Semicera” -nyň 4 “, 6” we 8 “N görnüşli SiC Ingots” -ny saýlap, ajaýyp ýarymgeçiriji tehnologiýalaryň talap edýän takyklygy we ygtybarlylygy bilen ajaýyp material aýratynlyklaryny birleşdirýän önüme maýa goýýarsyňyz. Semicera bu pudaga öňdebaryjy bolmagyny dowam etdirýär. elektron enjam önümçiliginiň ösmegine itergi berýän innowasion çözgütler bilen üpjün etmek.
| Harytlar | Önümçilik | Gözleg | Dummy |
| Kristal parametrler | |||
| Politip | 4H | ||
| Faceerüsti ugrukdyryş säwligi | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Elektrik parametrleri | |||
| Dopant | n görnüşli azot | ||
| Çydamlylyk | 0.015-0.025ohm · sm | ||
| Mehaniki parametrler | |||
| Diametri | 150.0 ± 0,2mm | ||
| Galyňlyk | 350 ± 25 μm | ||
| Esasy tekiz ugry | [1-100] ± 5 ° | ||
| Esasy tekiz uzynlyk | 47.5 ± 1,5mm | ||
| Ikinji kwartira | Hiç | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| Aý | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Öň (Si-face) gödeklik (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Gurluşy | |||
| Mikrop turbanyň dykyzlygy | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Metal hapalar | ≤5E10atoms / cm2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Öň hili | |||
| Öň tarapy | Si | ||
| Faceerüsti gutarmak | Si-ýüzli CMP | ||
| Bölejikler | ≤60ea / wafli (ölçegi≥0.3μm) | NA | |
| Dyrnaklar | ≤5ea / mm. Jemi uzynlygy ≤Diameter | Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA |
| Pyrtykal gabygy / çukur / tegmiller / çişmeler / çatryklar / hapalanma | Hiç | NA | |
| Gyrasy çipler / görkezijiler / döwük / alty sany plastinka | Hiç | ||
| Polip görnüşleri | Hiç | Jemi meýdany≤20% | Jemi meýdany ≤30% |
| Öňki lazer belligi | Hiç | ||
| Yzky hil | |||
| Yzyna | C ýüzli CMP | ||
| Dyrnaklar | ≤5ea / mm, Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA | |
| Yzky kemçilikler (gyrasy çipler / görkezijiler) | Hiç | ||
| Yzky gödeklik | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Yzky lazer belligi | 1 mm (ýokarky gyradan) | ||
| Gyrasy | |||
| Gyrasy | Çamfer | ||
| Gaplamak | |||
| Gaplamak | Wakuum gaplamak bilen epi taýýar Köp wafli kaseta gaplamasy | ||
| * Bellikler NA "NA" haýyş ýok, agzalmadyk zatlar SEMI-STD-e degişli bolup bilmez. | |||
