Icarymbuýsanç bilen tanyşdyrýar4 "Galiý oksidi substratlaryperformanceokary öndürijilikli ýarymgeçiriji enjamlaryň barha artýan isleglerini kanagatlandyrmak üçin döredilen düýbüni tutujy material. Galiý oksidi (Ga2O3) substratlar ultra-giň zolakly teklip hödürleýär we olary indiki nesil elektrik elektronikasy, UV optoelektronika we ýokary ýygylykly enjamlar üçin ideal edýär.
Esasy aýratynlyklary:
• Ultra-giň zolak:.4 "Galiý oksidi substratlaryAdatdan daşary naprýa andeniýe we temperatura çydamlylygy üçin kremniý ýaly adaty ýarymgeçiriji materiallardan ep-esli ýokary bolup, takmynan 4,8 eV zolakly zolak bilen öwüniň.
•Breakokary naprýa .eniýe naprýa .eniýesi: Bu substratlar enjamlara has ýokary woltlarda we güýçlerde işlemäge mümkinçilik berýär we olary elektrik elektronikasyndaky ýokary woltly programmalar üçin ajaýyp edýär.
•Iň ýokary ýylylyk durnuklylygy: Galiý oksidi substratlary ajaýyp şertlerde ulanmak üçin amatly şertlerde durnukly öndürijiligi üpjün edip, ajaýyp ýylylyk geçirijiligini hödürleýär.
•Materialokary material hili: Pes kemçilik dykyzlygy we ýokary hrustal hili bilen bu substratlar ygtybarly we yzygiderli öndürijiligi üpjün edýär, enjamlaryňyzyň netijeliligini we berkligini ýokarlandyrýar.
•Köpugurly programma: Elektrik tranzistorlary, Şottki diodlary we UV-C LED enjamlary ýaly köp sanly programma üçin amatly, güýç we optoelektroniki ugurlarda täzelikleri üpjün edýär.
Icarymgeçiriji tehnologiýasynyň geljegini “Semicera” bilen öwreniň4 "Galiý oksidi substratlary. Substratlarymyz, häzirki zaman enjamlary üçin zerur ygtybarlylygy we netijeliligi üpjün edip, iň ösen programmalary goldamak üçin niýetlenendir. Icarymgeçiriji materiallaryňyzda hil we täzelik üçin “Semicera” -a ynanyň.
| Harytlar | Önümçilik | Gözleg | Dummy |
| Kristal parametrler | |||
| Politip | 4H | ||
| Faceerüsti ugrukdyryş säwligi | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Elektrik parametrleri | |||
| Dopant | n görnüşli azot | ||
| Çydamlylyk | 0.015-0.025ohm · sm | ||
| Mehaniki parametrler | |||
| Diametri | 150.0 ± 0,2mm | ||
| Galyňlyk | 350 ± 25 μm | ||
| Esasy tekiz ugry | [1-100] ± 5 ° | ||
| Esasy tekiz uzynlyk | 47.5 ± 1,5mm | ||
| Ikinji kwartira | Hiç | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| Aý | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Öň (Si-face) gödeklik (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Gurluşy | |||
| Mikrop turbanyň dykyzlygy | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Metal hapalar | ≤5E10atoms / cm2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Öň hili | |||
| Öň tarapy | Si | ||
| Faceerüsti gutarmak | Si-ýüzli CMP | ||
| Bölejikler | ≤60ea / wafli (ölçegi≥0.3μm) | NA | |
| Dyrnaklar | ≤5ea / mm. Jemi uzynlygy ≤Diameter | Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA |
| Pyrtykal gabygy / çukur / tegmiller / çişmeler / çatryklar / hapalanma | Hiç | NA | |
| Gyrasy çipler / görkezijiler / döwük / alty sany plastinka | Hiç | ||
| Polip görnüşleri | Hiç | Jemi meýdany≤20% | Jemi meýdany ≤30% |
| Öňki lazer belligi | Hiç | ||
| Yzky hil | |||
| Yzyna | C ýüzli CMP | ||
| Dyrnaklar | ≤5ea / mm, Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA | |
| Yzky kemçilikler (gyrasy çipler / görkezijiler) | Hiç | ||
| Yzky gödeklik | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Yzky lazer belligi | 1 mm (ýokarky gyradan) | ||
| Gyrasy | |||
| Gyrasy | Çamfer | ||
| Gaplamak | |||
| Gaplamak | Wakuum gaplamak bilen epi taýýar Köp wafli kaseta gaplamasy | ||
| * Bellikler NA "NA" haýyş ýok, agzalmadyk zatlar SEMI-STD-e degişli bolup bilmez. | |||
