Gallium Nitride substratlary | GaN Wafers

Gallium Nitride Substrates | GaN Wafers Aýratyn surat

Gysga düşündiriş:

Galiý nitridi (GaN), kremniy karbid (SiC) materiallary ýaly, giň zolakly boşluk giňligi, uly zolakly boşluk giňligi, ýokary ýylylyk geçirijiligi, ýokary elektron doýma göçüş tizligi we ýokary bölüniş elektrik meýdany bilen ýarymgeçiriji materiallaryň üçünji nesline degişlidir. aýratynlyklary.GaN enjamlary ýokary ýygylykly, ýokary tizlikli we ýokary energiýa talap ediji meýdanlarda LED energiýa tygşytlaýjy yşyklandyryş, lazer proýeksiýa displeýi, täze energiýa ulaglary, akylly set, 5G aragatnaşygy ýaly giň mümkinçiliklere eýe.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Üçünji nesil ýarymgeçiriji materiallara esasan SiC, GaN, göwher we ş.m. girýär, sebäbi zolagyň boşlugynyň giňligi (meselem) 2,3 elektron woltdan (eV) uly ýa-da deňdir, giň zolakly boşluk ýarymgeçiriji materiallar hem diýilýär.Birinji we ikinji nesil ýarymgeçiriji materiallar bilen deňeşdirilende, üçünji nesil ýarymgeçiriji materiallar ýokary ýylylyk geçirijiliginiň, ýokary döwülýän elektrik meýdanynyň, ýokary doýgun elektron göçüş tizliginiň we ýokary baglanyşyk energiýasynyň artykmaçlyklaryna eýedir, bu bolsa häzirki zaman elektron tehnologiýasynyň täze talaplaryna laýyk bolup biler temperatura, ýokary güýç, ýokary basyş, ýokary ýygylyk we radiasiýa garşylygy we beýleki agyr şertler.Milli goranmak, awiasiýa, aerokosmos, nebit gözleg, optiki ammar we ş.m. ýaly ugurlarda möhüm ulanylyş mümkinçilikleri bar we giň zolakly aragatnaşyk, gün energiýasy, awtoulag önümçiligi ýaly köp strategiki pudaklarda energiýa ýitgisini 50% -den gowrak azaldyp biler, ýarymgeçiriji yşyklandyryş we akylly set, we enjamlaryň göwrümini 75% -den gowrak azaldyp biler, bu adamzat ylmynyň we tehnologiýasynyň ösmegi üçin möhüm ähmiýete eýe.

Element	GaN-FS-CU-C50	GaN-FS-CN-C50	GaN-FS-C-SI-C50
Diametri 晶圆直径	50,8 ± 1 mm
Galyňlyk厚度	350 ± 25 μm
Ugrukdyrma 晶向	C tekizligi (0001) M okuna 0,35 ± 0,15 ° burçdan
Baş jaý 主定位边	(1-100) 0 ± 0,5 °, 16 ± 1 mm
Ikinji kwartira 次定位边	(11-20) 0 ± 3 °, 8 ± 1 mm
Geçirijilik 导电性	N görnüşi	N görnüşi	Insarym izolýasiýa
Çydamlylyk (300K) 电阻率	<0,1 Ω · sm	<0.05 Ω · sm	> 106 Ω · sm
TTV 平整度	≤ 15 μm
BOW 弯曲度	≤ 20 μm
Aceüzüň ýüzüniň gödekligi Ga面粗糙度	<0,2 nm (ýalpyldawuk);
	ýa-da <0,3 nm (epitaksiýa üçin ýalpyldawuk we ýerüsti bejermek)
Faceüzüň üstki gödekligi N面粗糙度	0,5 ~ 1,5 μm
	wariant: 1 ~ 3 nm (inçe ýer);<0,2 nm (ýalpyldawuk)
Dislokasiýa dykyzlygy 位错密度	1 x 105-den 3 x 106 sm-2 (CL bilen hasaplanýar) *
Makro defekt dykyzlygy 缺陷密度	<2 sm-2
Ulanylýan meýdan 有效面积	> 90% (gyrasy we makro kemçilikleri aýyrmak)
Müşderiniň talaplaryna, kremniniň, sapfiriň, SiC esasly GaN epitaksial sahypasynyň dürli gurluşyna görä düzülip bilner.