“Semicera” -nyň 4 inç N görnüşli SiC substratlary ýarymgeçiriji pudagynyň takyk standartlaryna laýyk gelýär. Bu substratlar ajaýyp geçirijilik we ýylylyk aýratynlyklaryny hödürleýän köp sanly elektron programmalary üçin ýokary öndürijilikli binýady üpjün edýär.
Bu SiC substratlaryň N görnüşli doping, elektrik geçirijiligini ýokarlandyrýar we ýokary güýçli we ýokary ýygylykly programmalar üçin aýratyn amatly edýär. Bu häsiýet, energiýa ýitgisini azaltmak möhüm ähmiýete eýe bolan diodlar, tranzistorlar we güýçlendirijiler ýaly enjamlaryň netijeli işlemegine mümkinçilik berýär.
“Semicera”, her substratyň ýerüsti hilini we birmeňzeşligini görkezmek üçin iň häzirki zaman önümçilik proseslerinden peýdalanýar. Bu takyklyk, elektrik elektronikasynda, mikrotolkun enjamlarynda we aşa şertlerde ygtybarly öndürijiligi talap edýän beýleki tehnologiýalarda ulanmak üçin möhümdir.
“Semicera” -nyň N görnüşli SiC substratlaryny önümçilik liniýaňyza goşmak, ýokary ýylylyk ýaýramagyny we elektrik durnuklylygyny hödürleýän materiallardan peýdalanmagy aňladýar. Bu substratlar, güýç öwrüliş ulgamlary we RF güýçlendirijileri ýaly berkligi we netijeliligi talap edýän komponentleri döretmek üçin amatlydyr.
“Semicera” -nyň 4 Inch N görnüşli SiC substratlaryny saýlap, innowasiýa material ylymlaryny oýlanyşykly ussatlyk bilen birleşdirýän önüme maýa goýýarsyňyz. “Semicera”, ýokary öndürijiligi we ygtybarlylygy üpjün edip, häzirki zaman ýarymgeçiriji tehnologiýalaryň ösüşini goldaýan çözgütler bilen pudaga öňdebaryjylygyny dowam etdirýär.
| Harytlar | Önümçilik | Gözleg | Dummy |
| Kristal parametrler | |||
| Politip | 4H | ||
| Faceerüsti ugrukdyryş säwligi | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Elektrik parametrleri | |||
| Dopant | n görnüşli azot | ||
| Çydamlylyk | 0.015-0.025ohm · sm | ||
| Mehaniki parametrler | |||
| Diametri | 150.0 ± 0,2mm | ||
| Galyňlyk | 350 ± 25 μm | ||
| Esasy tekiz ugry | [1-100] ± 5 ° | ||
| Esasy tekiz uzynlyk | 47.5 ± 1,5mm | ||
| Ikinji kwartira | Hiç | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| Aý | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Öň (Si-face) gödeklik (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Gurluşy | |||
| Mikrop turbanyň dykyzlygy | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Metal hapalar | ≤5E10atoms / cm2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Öň hili | |||
| Öň tarapy | Si | ||
| Faceerüsti gutarmak | Si-ýüzli CMP | ||
| Bölejikler | ≤60ea / wafli (ölçegi≥0.3μm) | NA | |
| Dyrnaklar | ≤5ea / mm. Jemi uzynlygy ≤Diameter | Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA |
| Pyrtykal gabygy / çukur / tegmiller / çişmeler / çatryklar / hapalanma | Hiç | NA | |
| Gyrasy çipler / görkezijiler / döwük / alty sany plastinka | Hiç | ||
| Polip görnüşleri | Hiç | Jemi meýdany≤20% | Jemi meýdany ≤30% |
| Öňki lazer belligi | Hiç | ||
| Yzky hil | |||
| Yzyna | C ýüzli CMP | ||
| Dyrnaklar | ≤5ea / mm, Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA | |
| Yzky kemçilikler (gyrasy çipler / görkezijiler) | Hiç | ||
| Yzky gödeklik | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Yzky lazer belligi | 1 mm (ýokarky gyradan) | ||
| Gyrasy | |||
| Gyrasy | Çamfer | ||
| Gaplamak | |||
| Gaplamak | Wakuum gaplamak bilen epi taýýar Köp wafli kaseta gaplamasy | ||
| * Bellikler NA "NA" haýyş ýok, agzalmadyk zatlar SEMI-STD-e degişli bolup bilmez. | |||
