SOI wafli

Gysga düşündiriş:

SOI wafli üç gatly sendwiç ýaly gurluşdyr;Şol sanda ýokarky gatlak (enjam gatlagy), gömülen kislorod gatlagynyň ortasy (izolýasiýa edilýän SiO2 gatlagy üçin) we aşaky substrat (köp kremniý).SOI wafli, has inçe we has takyk enjam gatlaklaryna, birmeňzeş galyňlyga we pes kemçilik dykyzlygyna mümkinçilik berýän SIMOX usuly we wafli baglanyşyk tehnologiýasy arkaly öndürilýär.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

SOI wafli (1)

Programma meýdany

1. speedokary tizlikli integral zynjyr

2. Mikrotolkun enjamlary

3. temperatureokary temperatura integrirlenen zynjyr

4. Kuwwat enjamlary

5. Pes güýçli integral zynjyr

6. MEMS

7. Pes woltly integral zynjyr

Haryt		Argument
Umuman aýdanyňda	Wafer diametri 晶圆尺寸 (mm)	50/75/100/125/150/200mm ± 25um
	Aý / Warp 翘曲度 (	<10um
	Bölejikler 颗粒度 (	0.3um <30ea
	Kwartiralar 定位边 / 定位槽	Tekiz ýa-da Notç
	Gyradan çykarmak 边缘去除 (mm)	/
Enjam gatlagy 器件层	Enjam gatlagynyň görnüşi / Dopant 器件层掺杂类型	N-görnüşi / P-görnüşi B / P / Sb / As
	Enjam gatlagy 器件层晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	Enjam gatlagynyň galyňlygy 器件层厚度 (um)	0,1 ~ 300um
	Enjam gatlagynyň çydamlylygy 器件层电阻 oh (ohm • sm)	0,001 ~ 100,000 ohm-sm
	Enjam gatlagynyň bölekleri 器件层颗粒度 (	<30ea@0.3
	Enjam gatlagy TTV 器件 T TTV (	<10um
	Enjam gatlagynyň gutarmagy 器件层表面处理	Jaýlanan
BOX	Gömülen termiki oksidiň galyňlygy Um 氧层 um (um)	50nm (500Å) ~ 15um
Gatnaşyk 衬底	Wafli görnüşi / Dopant 衬底层类型	N-görnüşi / P-görnüşi B / P / Sb / As
	Wafer ugruny dolandyryň 衬底晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	Wafli çydamlylygy dolandyryň 衬底电阻率 (ohm • sm)	0,001 ~ 100,000 ohm-sm
	Wafli galyňlygy dolandyryň 衬底厚度 (um)	> 100um
	Wafer gutar 衬底表面处理	Jaýlanan
Maksatly spesifikasiýalaryň SOI wafli, müşderiniň talaplaryna laýyklykda düzülip bilner.