1. TakmynanSilikon Karbid (SiC) epitaksial wafli
Silikon Karbid (SiC) epitaksial wafli, kremniý karbidli ýekeje kristal wafli substrat hökmünde, adatça himiki bug çökdürilmegi (CVD) arkaly bir kristal gatlagy wafliň üstünde goýmak arkaly emele gelýär. Olaryň arasynda kremniý karbid epitaksial geçiriji kremniy karbid substratynda kremniy karbid epitaksial gatlagyny ösdürip, has ýokary öndürijilikli enjamlara ýasalýar.
2.Silikon Karbid epitaksial wafliAýratynlyklary
4, 6, 8 dýuým N görnüşli 4H-SiC epitaksial wafli bilen üpjün edip bileris. Epitaksial wafli uly geçirijilik giňligine, ýokary doýma elektron sürüş tizligine, ýokary tizlikli iki ölçegli elektron gazyna we ýokary bölüniş meýdanyna eýe. Bu häsiýetler enjamy ýokary temperatura garşylygy, ýokary woltly garşylyk, çalt kommutasiýa tizligi, pes garşylyk, kiçi ululyk we ýeňil agram edýär.
3. SiC epitaksial programmalar
SiC epitaksial wafliesasan Şottki diodynda (SBD), metal oksid ýarymgeçiriji meýdan effekt tranzistorynda (MOSFET) birleşýän meýdan effekt tranzistorynda (JFET), bipolýar çatryk tranzistorynda (BJT), tiristorda (SCR), izolýasiýa derwezesi bipolýar tranzistorda (IGBT) ulanylýar. pes woltly, orta woltly we ýokary woltly meýdanlarda. Häzirki wagtda,SiC epitaksial waflivolokary woltly programmalar üçin bütin dünýäde gözleg we ösüş tapgyrynda.
