“Semicera” -nyň 8 Inch N görnüşli “SiC Wafers” ýarymgeçiriji innowasiýasynyň başynda durýar we ýokary öndürijilikli elektron enjamlaryny ösdürmek üçin berk binýady üpjün edýär. Bu wafli, häzirki zaman elektroniki programmalaryň, elektrik elektronikasyndan ýokary ýygylykly zynjyrlara çenli talaplary kanagatlandyrmak üçin niýetlenendir.
Bu SiC wafli içindäki N görnüşli doping, elektrik geçirijiligini ýokarlandyrýar we güýç diodlary, tranzistorlar we güýçlendirijiler ýaly köp sanly amaly üçin ideal edýär. Iň ýokary geçirijilik, ýokary ýygylyklarda we güýç derejesinde işleýän enjamlar üçin möhüm ähmiýete eýe bolan minimal energiýa ýitgisini we netijeli işlemegi üpjün edýär.
“Semicera” ajaýyp ýerüsti birmeňzeşligi we minimal kemçilikleri bolan SiC wafli öndürmek üçin ösen önümçilik usullaryny ulanýar. Bu takyklyk derejesi, howa, awtoulag we telekommunikasiýa pudaklary ýaly yzygiderli öndürijiligi we çydamlylygy talap edýän programmalar üçin zerurdyr.
“Semicera” -nyň 8 inç N görnüşli “SiC Wafers” -i önümçilik liniýaňyza goşmak, kyn şertlere we ýokary temperatura çydap bilýän komponentleri döretmek üçin esas döredýär. Bu wafli, güýç öwürmek, RF tehnologiýasy we beýleki talap edilýän ugurlar üçin amatly.
“Semicera” -nyň 8 inç N görnüşli “SiC Wafers” -i saýlamak, ýokary hilli material ylymlaryny takyk in engineeringenerçilik bilen birleşdirýän önüme maýa goýmagy aňladýar. “Semicera”, elektron enjamlaryňyzyň netijeliligini we ygtybarlylygyny ýokarlandyrýan çözgütleri hödürläp, ýarymgeçiriji tehnologiýalaryň mümkinçiliklerini öňe sürmäge borçlanýar.
| Harytlar | Önümçilik | Gözleg | Dummy |
| Kristal parametrler | |||
| Politip | 4H | ||
| Faceerüsti ugrukdyryş säwligi | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Elektrik parametrleri | |||
| Dopant | n görnüşli azot | ||
| Çydamlylyk | 0.015-0.025ohm · sm | ||
| Mehaniki parametrler | |||
| Diametri | 150.0 ± 0,2mm | ||
| Galyňlyk | 350 ± 25 μm | ||
| Esasy tekiz ugry | [1-100] ± 5 ° | ||
| Esasy tekiz uzynlyk | 47.5 ± 1,5mm | ||
| Ikinji kwartira | Hiç | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| Aý | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Öň (Si-face) gödeklik (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Gurluşy | |||
| Mikrop turbanyň dykyzlygy | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Metal hapalar | ≤5E10atoms / cm2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Öň hili | |||
| Öň tarapy | Si | ||
| Faceerüsti gutarmak | Si-ýüzli CMP | ||
| Bölejikler | ≤60ea / wafli (ölçegi≥0.3μm) | NA | |
| Dyrnaklar | ≤5ea / mm. Jemi uzynlygy ≤Diameter | Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA |
| Pyrtykal gabygy / çukur / tegmiller / çişmeler / çatryklar / hapalanma | Hiç | NA | |
| Gyrasy çipler / görkezijiler / döwük / alty sany plastinka | Hiç | ||
| Polip görnüşleri | Hiç | Jemi meýdany≤20% | Jemi meýdany ≤30% |
| Öňki lazer belligi | Hiç | ||
| Yzky hil | |||
| Yzyna | C ýüzli CMP | ||
| Dyrnaklar | ≤5ea / mm, Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA | |
| Yzky kemçilikler (gyrasy çipler / görkezijiler) | Hiç | ||
| Yzky gödeklik | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Yzky lazer belligi | 1 mm (ýokarky gyradan) | ||
| Gyrasy | |||
| Gyrasy | Çamfer | ||
| Gaplamak | |||
| Gaplamak | Wakuum gaplamak bilen epi taýýar Köp wafli kaseta gaplamasy | ||
| * Bellikler NA "NA" haýyş ýok, agzalmadyk zatlar SEMI-STD-e degişli bolup bilmez. | |||
