Silikon nitrid kremniý karbid bilen baglanyşdyrylýar
Si3N4 birleşdirilen SiC keramiki refrakter materialy, ýokary arassa SIC inçe tozy we Silikon tozy bilen garylýar, süýşüriş kursundan soň, reaksiýa 1400 ~ 1500 ° C-den pes bolýar.Süzmek döwründe ýokary arassa azody peje dolduryp, kremniý azot bilen reaksiýa döreder we Si3N4 öndürer, şonuň üçin Si3N4 baglanyşdyrylan SiC materialy esasy çig mal hökmünde kremniý nitridden (23%) we kremniy karbidden (75%) ybaratdyr. , organiki materiallar bilen garylan we garyndy, ekstruziýa ýa-da guýmak bilen şekillendirilip, guradylandan we azotlaşdyrylandan soň ýasalýar.
Aýratynlyklary we artykmaçlyklary:
1.Hýokary temperatura çydamlylygy
2. highokary ýylylyk geçirijiligi we şok garşylygy
3.Yokary mehaniki güýç we aşgazana garşylyk
4. Ajaýyp energiýa netijeliligi we poslama garşylyk
Işleýän ýokary hilli we takyk işlenip taýýarlanan NSiC keramiki komponentlerini üpjün edýäris
1.Slip guýma
2.Göçürmek
3.Uni eksenel basmak
4.Isostatiki basyş
Material maglumatlar toplumy
| > Himiki düzümi | Sic | 75% |
| Si3N4 | ≥23% | |
| Mugt Si | 0% | |
| Köp dykyzlygy (g / cm3) | 2.70～2.80 | |
| Görünýän gözenek (%) | 12～15 | |
| Güýç 20 at (MPa) | 180～190 | |
| Güýç 1200 at (MPa) | 207 | |
| Güýç 1350 at (MPa) | 210 | |
| 20 at (MPa) -da gysyjy güýç | 580 | |
| 1200 at (w / mk) ýylylyk geçirijiligi | 19.6 | |
| 1200 at ýylylyk giňelme koeffisiýenti (x 10-6 /C) | 4.70 | |
| Malylylyk zarbasyna garşylyk | Gowy | |
| Maks.temperatura (℃) | 1600 | |
WeiTai Energy Technology Co., Ltd. ösen ýarymgeçiriji keramikany öňdebaryjy üpjün ediji we Hytaýda bir wagtyň özünde ýokary arassa kremniy karbid keramikasyny (esasanam gaýtadan dikeldilen SiC) we CVD SiC örtügini üpjün edip biljek ýeke-täk öndüriji.Mundan başga-da, kompaniýamyz alýumin, alýumin nitrid, sirkoniýa we kremniý nitrid ýaly keramiki meýdanlara ygrarly.
Esasy önümlerimiz: kremniy karbid ekiş diski, kremniy karbid gaýyk gämisi, kremniy karbid wafli gaýygy (Fotowoltaik we ýarymgeçiriji), kremniy karbid peç turbasy, kremniy karbid kantilwer paddeli, kremniy karbid çukurlary, kremniy karbid şöhlesi, şeýle hem CVD SiC örtük we TaC örtük.Esasan ýarymgeçiriji we fotoelektrik pudaklarynda ulanylýan önümler, meselem, hrustal ösmek üçin enjamlar, epitaksiýa, efirlemek, gaplamak, örtük we diffuziýa peçleri we ş.m.
Kompaniýamyzda önüm öndürmegiň ähli zerur baglanyşyklaryny tamamlap bilýän we önümiň hiline has ýokary gözegçilik edip bilýän galyp, sintezlemek, gaýtadan işlemek, örtük enjamlary we ş.m. ýaly doly önümçilik enjamlary bar;Iň amatly önümçilik meýilnamasy, önümiň zerurlyklaryna görä saýlanyp bilner, netijede arzan bahadan we müşderilere has bäsdeşlik önümleri bilen üpjün ediler;Müşderilere has çalt we kepillendirilen gowşuryş wagtyny üpjün edip, sargyt gowşuryş talaplaryna esaslanyp we onlaýn sargyt dolandyryş ulgamlary bilen bilelikde önümçiligi çeýe we netijeli tertipläp bileris.
