Gök / ýaşyl LED epitaksi

Gysga düşündiriş:

Kompaniýamyz, grafit, keramika we beýleki materiallaryň üstünde CVD usuly bilen SiC örtük hyzmatlaryny hödürleýär, uglerod we kremnini öz içine alýan ýörite gazlar ýokary arassalyk SiC molekulalaryny, örtülen materiallaryň üstünde goýlan molekulalary almak üçin ýokary temperaturada täsir eder, SIK gorag gatlagyny emele getirýär.


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Esasy aýratynlyklary:

1. temperatureokary temperaturaly okislenme garşylygy:

oksidlenme garşylygy, temperatura 1600 C-den ýokary bolanda henizem gaty gowy.

2. purokary arassalygy: ýokary temperatura hlorlaşma şertinde himiki bug çökdürilmegi bilen öndürilýär.

3. Eroziýa garşylygy: ýokary gatylyk, ykjam ýer, inçe bölejikler.

4. Poslama garşylyk: kislota, aşgar, duz we organiki reagentler.

 Esasy aýratynlyklaryCVD-SIC örtük

SiC-CVD häsiýetleri

Kristal gurluş FCC β tapgyry
Dykyzlygy g / sm ³ 3.21
Gatylyk Wikers gatylygy 2500
Galla ölçegi μm 2 ~ 10
Himiki arassalyk % 99.99995
Atylylyk kuwwaty J · kg-1 · K-1 640
Sublimasiýa temperaturasy 2700
Felexural güýç MPa (RT 4 bal) 415
Youngaş modul Gpa (4pt egilmek, 1300 ℃) 430
Malylylyk giňelişi (CTE) 10-6K-1 4.5
Malylylyk geçirijiligi (W / mK) 300

 

 
LED epitaksi
未 标题 -1

  • Öňki:
  • Indiki: