CVD Silikon Karbid (SiC) Etching halkasy, himiki buglary çökdürmek (CVD) usuly bilen Silikon Karbidden (SiC) ýasalan ýörite komponent. CVD Silikon Karbid (SiC) Etching halkasy, dürli önümçilik goşundylarynda, esasanam material ýuwulmagy bilen baglanyşykly proseslerde möhüm rol oýnaýar. Silikon Karbid, gaty gatylygy, ajaýyp ýylylyk geçirijiligi we agyr himiki gurşawlara garşylygy ýaly ajaýyp aýratynlyklary bilen tanalýan özboluşly we ösen keramiki materialdyr.
Himiki buglary çökdürmek prosesi, ýokary arassalygy we takyk ineredenerli materialy emele getirýän SiC-iň inçe gatlagyny gözegçilik astyndaky substrata goýmagy öz içine alýar. CVD Silikon Karbid birmeňzeş we dykyz mikrostrukturasy, ajaýyp mehaniki güýji we güýçlendirilen ýylylyk durnuklylygy bilen tanalýar.
CVD Silikon Karbid (SiC) Etching halkasy, diňe bir oňat çydamlylygy üpjün etmän, himiki poslama we aşa temperaturanyň üýtgemegine garşy durýan CVD Silikon Karbidden ýasalýar. Bu takyklyk, ygtybarlylyk we durmuş möhüm ähmiýete eýe bolan programmalar üçin ideal edýär.
China Hytaý bazarynda ýokary hilli
“Gowy hyzmat elmydama siziň üçin, 7 * 24 sagat
DeliverySiz gowşurylan senesi
“Kiçijik MOQ hoş geldiňiz we kabul edildi
OstHörite hyzmatlar
Epitaksi ösüşiniň duýgurlygy
Silikon / kremniy karbid wafli, elektron enjamlarynda ulanmak üçin birnäçe prosesi başdan geçirmeli. Möhüm proses, kremniniň / sik epitaksidir, onda kremniý / sik wafli grafit bazasynda amala aşyrylýar. “Semicera” -nyň kremniý karbid bilen örtülen grafit bazasynyň aýratyn artykmaçlyklary aşa ýokary arassalygy, birmeňzeş örtük we örän uzak ömri öz içine alýar. Şeýle hem ýokary himiki garşylyk we ýylylyk durnuklylygy bar.
LED çip öndürmek
MOCVD reaktorynyň giň örtügi wagtynda planetar bazasy ýa-da daşaýjy substrat wafli hereket edýär. Esasy materialyň öndürijiligi örtügiň hiline uly täsir edýär, bu bolsa öz gezeginde çipiň döwülmegine täsir edýär. “Semicera” -yň kremniy karbid bilen örtülen bazasy ýokary hilli LED wafli önümçiliginiň netijeliligini ýokarlandyrýar we tolkun uzynlygynyň gyşarmagyny azaldýar. Şeýle hem häzirki wagtda ulanylýan ähli MOCVD reaktorlary üçin goşmaça grafit komponentleri bilen üpjün edýäris. Silikon karbid örtügi bilen islendik komponenti diýen ýaly örtüp bileris, komponentiň diametri 1,5 metre çenli bolsa-da, kremniy karbid bilen örtüp bileris.
Ondarymgeçiriji meýdan, okislenme diffuziýa prosesi, We ş.m.
Ondarymgeçiriji prosesinde okislenmegi giňeltmek prosesi ýokary önüm arassalygyny talap edýär we Semicera-da kremniniň karbid bölekleriniň köpüsi üçin ýörite we CVD örtük hyzmatlaryny hödürleýäris.
Aşakdaky suratda Semisýanyň gödek gaýtadan işlenen kremniy karbid süýümi we 100-de arassalanan kremniy karbid peç turbasy görkezilýär.0derejetozansyzotag. Işçilerimiz örtükden öň işleýärler. Silikon karbidimiziň arassalygy 99,99% -e, sik örtüginiň arassalygy 99.99995% -den ýokary bolup biler
Arassalamakda çig kremniy karbid paddeli we SiC prosessor turbasy
Silikon karbid wafli gaýyk CVD SiC örtükli
