Semicera tarapyndan hödürlenýän CVD Silikon Karbid (SiC) halkalar, ýarymgeçiriji enjam öndürmekde möhüm tapgyr bolan ýarymgeçirijiniň işleýşinde möhüm komponentlerdir. Bu CVD Silikon Karbid (SiC) halkalarynyň düzümi, dykylma prosesiniň agyr şertlerine çydap bilýän berk we çydamly gurluşy üpjün edýär. Himiki bug çöketligi ýokary arassalygy, birmeňzeş we dykyz SiC gatlagyny emele getirmäge kömek edýär, halkalara ajaýyp mehaniki güýç, ýylylyk durnuklylygy we poslama garşylyk berýär.
Ondarymgeçiriji önümçiliginiň esasy elementi hökmünde CVD Silikon Karbid (SiC) halkalary ýarymgeçiriji çipleriň bitewiligini goramak üçin gorag päsgelçiligi hökmünde çykyş edýär. Onuň takyk dizaýny, ýokary öndürijilik we ygtybarlylygy üpjün edip, ýokary çylşyrymly ýarymgeçiriji enjamlary öndürmäge kömek edýän birmeňzeş we gözegçilikde saklanmagy üpjün edýär.
Halkalaryň gurluşygynda CVD SiC materialynyň ulanylmagy ýarymgeçiriji önümçiliginde hiliň we öndürijiligiň bardygyny görkezýär. Bu material ýokary ýylylyk geçirijiligi, ajaýyp himiki inertlik, köýnek we poslama garşylygy ýaly özboluşly aýratynlyklara eýedir, CVD Silikon Karbid (SiC) ýarymgeçirijiniň işleýiş işlerinde takyklygy we netijeliligi gözlemekde aýrylmaz komponente öwrülýär.
“Semicera” -nyň “CVD” kremniy karbidi (SiC) halkasy, ýarymgeçiriji tehnologiýasynyň üznüksiz ösmegine kömek edip, ygtybarly we ýokary öndürijilikli işleýiş proseslerine ýetmek üçin himiki bug goýlan kremniy karbidiniň özboluşly aýratynlyklaryny ulanyp, ýarymgeçiriji önümçiliginde ösen çözgüdi görkezýär. Customersarymgeçiriji pudagynyň ýokary hilli we täsirli çözgütlere bolan islegini kanagatlandyrmak üçin müşderilere ajaýyp önümler we hünär tehniki goldawy bermäge borçlanýarys.
China Hytaý bazarynda ýokary hilli
“Gowy hyzmat elmydama siziň üçin, 7 * 24 sagat
DeliverySiz gowşurylan senesi
“Kiçijik MOQ hoş geldiňiz we kabul edildi
OstHörite hyzmatlar
Epitaksi ösüşiniň duýgurlygy
Silikon / kremniy karbid wafli, elektron enjamlarynda ulanmak üçin birnäçe prosesi başdan geçirmeli. Möhüm proses, kremniniň / sik epitaksidir, onda kremniý / sik wafli grafit bazasynda amala aşyrylýar. “Semicera” -nyň kremniý karbid bilen örtülen grafit bazasynyň aýratyn artykmaçlyklary aşa ýokary arassalygy, birmeňzeş örtük we örän uzak ömri öz içine alýar. Şeýle hem ýokary himiki garşylyk we ýylylyk durnuklylygy bar.
LED çip öndürmek
MOCVD reaktorynyň giň örtügi wagtynda planetar bazasy ýa-da daşaýjy substrat wafli hereket edýär. Esasy materialyň öndürijiligi örtügiň hiline uly täsir edýär, bu bolsa öz gezeginde çipiň döwülmegine täsir edýär. “Semicera” -yň kremniy karbid bilen örtülen bazasy ýokary hilli LED wafli önümçiliginiň netijeliligini ýokarlandyrýar we tolkun uzynlygynyň gyşarmagyny azaldýar. Şeýle hem häzirki wagtda ulanylýan ähli MOCVD reaktorlary üçin goşmaça grafit komponentleri bilen üpjün edýäris. Silikon karbid örtügi bilen islendik komponenti diýen ýaly örtüp bileris, komponentiň diametri 1,5 metre çenli bolsa-da, kremniy karbid bilen örtüp bileris.
Ondarymgeçiriji meýdan, okislenme diffuziýa prosesi, We ş.m.
Ondarymgeçiriji prosesinde okislenmegi giňeltmek prosesi ýokary önüm arassalygyny talap edýär we Semicera-da kremniniň karbid bölekleriniň köpüsi üçin ýörite we CVD örtük hyzmatlaryny hödürleýäris.
Aşakdaky suratda Semisýanyň gödek gaýtadan işlenen kremniy karbid süýümi we 100-de arassalanan kremniy karbid peç turbasy görkezilýär.0derejetozansyzotag. Işçilerimiz örtükden öň işleýärler. Silikon karbidimiziň arassalygy 99,99% -e, sik örtüginiň arassalygy 99.99995% -den ýokary bolup biler.
Arassalamakda çig kremniy karbid paddeli we SiC prosessor turbasy
Silikon karbid wafli gaýyk CVD SiC örtükli
