“Semicera” dürli komponentler we göterijiler üçin ýöriteleşdirilen tantal karbid (TaC) örtüklerini üpjün edýär.“Semicera” öňdebaryjy örtük prosesi tantal karbid (TaC) örtüklerine ýokary arassalygy, ýokary temperatura durnuklylygyny we ýokary himiki çydamlylygy gazanmaga, SIC / GAN kristallarynyň we EPI gatlaklarynyň önüminiň hilini ýokarlandyrmaga mümkinçilik berýär (Grafit bilen örtülen TaC duýgur) we esasy reaktor komponentleriniň ömrüni uzaltmak. Tantal karbid TaC örtüginiň ulanylmagy, gyradaky meseläni çözmek we hrustal ösüşiň hilini ýokarlandyrmakdyr, Semicera bolsa tantal karbid örtük tehnologiýasyny (CVD) halkara ösen derejä ýetirip, üstünlik gazandy.
8 dýuým kremniy karbid (SiC) wafli peýda bolansoň, dürli ýarymgeçiriji proseslere bolan talaplar hasam güýçlenýär, esasanam temperatura 2000 gradusdan ýokary bolup bilýän epitaksiýa prosesleri üçin. Silikon karbid bilen örtülen grafit ýaly adaty duýgur materiallar epitaksiýa prosesini bozup, bu ýokary temperaturalarda köpelýär. Şeýle-de bolsa, CVD tantal karbidi (TaC) 2300 gradusa çenli temperatura çydam edip, has uzak ömri hödürläp, bu meseläni netijeli çözýär. Semicera bilen habarlaşyň 's CVD Tantal Karbid bilen örtülen ýarym aý bölegiösen çözgütlerimiz hakda has giňişleýin öwrenmek.
Birnäçe ýyllyk ösüşden soň, Semicera tehnologiýasyny ýeňdiCVD TaCgözleg we barlag bölüminiň bilelikdäki tagallalary bilen. SiC wafli ösüş prosesinde kemçilikler ýüze çykýar, ýöne ulanylandan soňTaCtapawudy möhümdir. Aşakda TaC bilen we wafli wafli, şeýle hem Simiceranyň ýekeje kristal ösmegi üçin bölekleri deňeşdirilýär.
bilen we TaC bilen
TaC ulanandan soň (sagda)
Mundan başga-da, Semicera'sTaC bilen örtülen önümlerbilen deňeşdirilende has uzak hyzmat ediş möhletini we has ýokary temperatura garşylygyny görkezýärSiC örtükleri.Laboratoriýa ölçegleri biziň muny görkezdiTaC örtükleriuzak wagtlap 2300 gradusa çenli temperaturada yzygiderli çykyş edip biler. Aşakda nusgalarymyzyň käbir mysallary:
TaC örtükli duýgur
TaC örtülen reaktorly grafit
