“Epitaxy Wafer Carrier” ýarymgeçiriji önümçiliginde, esasanamSi EpitaxyweSiC Epitaxyprosesleri. “Semicera” seresaplylyk bilen dizaýn edýär we öndürýärWaferDaşaýjylar aşa ýokary temperatura we himiki gurşawlara garşy durmak, ýaly programmalarda ajaýyp öndürijiligi üpjün etmekMOCVD Susseptorwe Barrel Susceptor. Monokristally kremniniň çökdürilmegi ýa-da çylşyrymly epitaksi prosesleri bolsun, “Semicera” -yň “Epitaxy Wafer Carrier” ajaýyp birmeňzeşligi we durnuklylygy üpjün edýär.
Semicera'sEpitaksi wafli daşaýjyprosesiň dowamynda ýitgileri we durnuksyzlygy netijeli azaldyp bilýän ajaýyp mehaniki güýji we ýylylyk geçirijiligi bolan ösen materiallardan ýasalýar. Mundan başga-da, dizaýnWaferDaşaýjy dürli ululykdaky epitaks enjamlaryna uýgunlaşyp, şeýlelik bilen önümçiligiň umumy netijeliligini ýokarlandyryp biler.
Highokary takyklyk we ýokary arassa epitaksiýa proseslerini talap edýän müşderiler üçin “Semicera” -yň “Epitaxy Wafer Carrier” ygtybarly saýlawdyr. Müşderilere önümçilik prosesleriniň ygtybarlylygyny we netijeliligini ýokarlandyrmak üçin ajaýyp önümiň hili we ygtybarly tehniki goldawy bermäge hemişe borçlanýarys.
China Hytaý bazarynda ýokary hilli
“Gowy hyzmat elmydama siziň üçin, 7 * 24 sagat
DeliverySiz gowşurylan senesi
“Kiçijik MOQ hoş geldiňiz we kabul edildi
OstHörite hyzmatlar
Epitaksi ösüşiniň duýgurlygy
Silikon / kremniy karbid wafli, elektron enjamlarynda ulanmak üçin birnäçe prosesi başdan geçirmeli. Möhüm proses, kremniniň / sik epitaksidir, onda kremniý / sik wafli grafit bazasynda amala aşyrylýar. “Semicera” -nyň kremniý karbid bilen örtülen grafit bazasynyň aýratyn artykmaçlyklary aşa ýokary arassalygy, birmeňzeş örtük we örän uzak ömri öz içine alýar. Şeýle hem ýokary himiki garşylyk we ýylylyk durnuklylygy bar.
LED çip öndürmek
MOCVD reaktorynyň giň örtügi wagtynda planetar bazasy ýa-da daşaýjy substrat wafli hereket edýär. Esasy materialyň öndürijiligi örtügiň hiline uly täsir edýär, bu bolsa öz gezeginde çipiň döwülmegine täsir edýär. “Semicera” -yň kremniy karbid bilen örtülen bazasy ýokary hilli LED wafli önümçiliginiň netijeliligini ýokarlandyrýar we tolkun uzynlygynyň gyşarmagyny azaldýar. Şeýle hem häzirki wagtda ulanylýan ähli MOCVD reaktorlary üçin goşmaça grafit komponentleri bilen üpjün edýäris. Silikon karbid örtügi bilen islendik komponenti diýen ýaly örtüp bileris, komponentiň diametri 1,5 metre çenli bolsa-da, kremniy karbid bilen örtüp bileris.
Ondarymgeçiriji meýdan, okislenme diffuziýa prosesi, We ş.m.
Ondarymgeçiriji prosesinde okislenmegi giňeltmek prosesi ýokary önüm arassalygyny talap edýär we Semicera-da kremniniň karbid bölekleriniň köpüsi üçin ýörite we CVD örtük hyzmatlaryny hödürleýäris.
Aşakdaky suratda Semisýanyň gödek gaýtadan işlenen kremniy karbid süýümi we 100-de arassalanan kremniy karbid peç turbasy görkezilýär.0derejetozansyzotag. Işçilerimiz örtükden öň işleýärler. Silikon karbidimiziň arassalygy 99,98% -e, sik örtüginiň arassalygy 99,9995% -den ýokarydyr.
Arassalamakda çig kremniy karbid paddeli we SiC prosessor turbasy
Silikon karbid wafli gaýyk CVD SiC örtükli
