Icarymbuýsanç bilen hödürleýärGa2O3Epitaksi, elektrik elektronikasynyň we optoelektronikanyň çäklerini öňe sürmek üçin döredilen iň häzirki zaman çözgüdi. Bu ösen epitaksial tehnologiýa Gallium Oksidiň (Ga) özboluşly aýratynlyklaryny ulanýar2O3talap edilýän programmalarda has ýokary öndürijilik bermek.
Esasy aýratynlyklary:
• Aýratyn giň zolak: Ga2O3Epitaksiýokary bölüniş naprýa .eniýesini we ýokary güýçli şertlerde netijeli işlemäge mümkinçilik berýän ultra giň zolakly aýratynlygy görkezýär.
•Termokary ýylylyk geçirijiligi: Epitaksial gatlak ýokary ýylylyk geçirijiligini üpjün edýär, ýokary temperaturaly şertlerde-de durnukly işlemegi üpjün edýär we ýokary ýygylykly enjamlar üçin ideal edýär.
•Iň ýokary material hili: Minimal kemçilikler bilen ýokary kristal hiline ýetiň, enjamyň optimal işlemegini we uzak ömrüni üpjün ediň, esasanam güýç tranzistorlary we UV detektorlary ýaly möhüm programmalarda.
•Goýmalaryň köpdürliligi: Elektroniki enjamlar, RF programmalary we optoelektronika üçin ajaýyp, indiki nesil ýarymgeçiriji enjamlar üçin ygtybarly binýady üpjün edýär.
Mümkinçiligini öwreniňGa2O3Epitaksi“Semicera” -nyň innowasion çözgütleri bilen. Epitaksial önümlerimiz, enjamlaryňyzyň iň ýokary netijelilik we ygtybarlylyk bilen işlemegine mümkinçilik berýän ýokary hilli we öndürijilik standartlaryna laýyk gelýär. Öňdebaryjy ýarymgeçiriji tehnologiýasy üçin “Semicera” -ny saýlaň.
| Harytlar | Önümçilik | Gözleg | Dummy |
| Kristal parametrler | |||
| Politip | 4H | ||
| Faceerüsti ugrukdyryş säwligi | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Elektrik parametrleri | |||
| Dopant | n görnüşli azot | ||
| Çydamlylyk | 0.015-0.025ohm · sm | ||
| Mehaniki parametrler | |||
| Diametri | 150.0 ± 0,2mm | ||
| Galyňlyk | 350 ± 25 μm | ||
| Esasy tekiz ugry | [1-100] ± 5 ° | ||
| Esasy tekiz uzynlyk | 47.5 ± 1,5mm | ||
| Ikinji kwartira | Hiç | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| Aý | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Öň (Si-face) gödeklik (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Gurluşy | |||
| Mikrop turbanyň dykyzlygy | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Metal hapalar | ≤5E10atoms / cm2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Öň hili | |||
| Öň tarapy | Si | ||
| Faceerüsti gutarmak | Si-ýüzli CMP | ||
| Bölejikler | ≤60ea / wafli (ölçegi≥0.3μm) | NA | |
| Dyrnaklar | ≤5ea / mm. Jemi uzynlygy ≤Diameter | Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA |
| Pyrtykal gabygy / çukur / tegmiller / çişmeler / çatryklar / hapalanma | Hiç | NA | |
| Gyrasy çipler / görkezijiler / döwük / alty sany plastinka | Hiç | ||
| Polip görnüşleri | Hiç | Jemi meýdany≤20% | Jemi meýdany ≤30% |
| Öňki lazer belligi | Hiç | ||
| Yzky hil | |||
| Yzyna | C ýüzli CMP | ||
| Dyrnaklar | ≤5ea / mm, Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA | |
| Yzky kemçilikler (gyrasy çipler / görkezijiler) | Hiç | ||
| Yzky gödeklik | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Yzky lazer belligi | 1 mm (ýokarky gyradan) | ||
| Gyrasy | |||
| Gyrasy | Çamfer | ||
| Gaplamak | |||
| Gaplamak | Wakuum gaplamak bilen epi taýýar Köp wafli kaseta gaplamasy | ||
| * Bellikler NA "NA" haýyş ýok, agzalmadyk zatlar SEMI-STD-e degişli bolup bilmez. | |||
