Häzirki zaman elektron tehnologiýasy pudagynda ýarymgeçiriji materiallar möhüm rol oýnaýar.Olaryň arasynda,kremniy karbid (SiC)giň zolakly boşluk ýarymgeçiriji material hökmünde, ýokary bölüniş elektrik meýdany, ýokary doýma tizligi, ýokary ýylylyk geçirijiligi we ş.m. ýaly ajaýyp öndürijilik artykmaçlyklary bilen kem-kemden gözlegçileriň we inersenerleriň üns merkezine öwrülýär.Thekremniý karbid epitaksial disk, möhüm bölegi hökmünde uly amaly potensialyny görkezdi.
一 ita epitaksial disk öndürijiligi: doly artykmaçlyklary
1. Ultra-ýokary bölek elektrik meýdany: adaty kremniy materiallary bilen deňeşdirilende, döwülýän elektrik meýdanykremniý karbid10 esse köpdür.Bu, şol bir naprýa .eniýe şertlerinde ulanylýan elektron enjamlaryny aňladýarkremniý karbid epitaksial disklerýokary toklara çydap biler we şeýlelik bilen ýokary woltly, ýokary ýygylykly, ýokary güýçli elektron enjamlaryny döredip biler.
2. speedokary tizlikli doýma tizligi: doýma tizligikremniý karbidkremniniňkiden 2 esse köpdür.Highokary temperaturada we ýokary tizlikde işlemek ,.kremniý karbid epitaksial diskhas gowy ýerine ýetirýär, bu elektron enjamlaryň durnuklylygyny we ygtybarlylygyny ep-esli ýokarlandyrýar.
3. efficiencyokary netijelilik ýylylyk geçirijiligi: kremniniň karbidiniň ýylylyk geçirijiligi kremniniňkiden 3 esse köp.Bu aýratynlyk, elektron enjamlara ýokary güýçli iş wagtynda ýylylygy has gowy ýaýratmaga mümkinçilik berýär, şeýlelik bilen aşa gyzmagyň öňüni alýar we enjamyň howpsuzlygyny ýokarlandyrýar.
4. Ajaýyp himiki durnuklylyk: ýokary temperatura, ýokary basyş we güýçli radiasiýa ýaly ekstremal şertlerde kremniy karbidiň öndürijiligi öňküsi ýaly durnukly.Bu aýratynlyk, kremniý karbid epitaksial diski çylşyrymly şertlerde ajaýyp öndürijiligi saklamaga mümkinçilik berýär.
二 、 önümçilik prosesi: seresaplylyk bilen oýulypdyr
SIK epitaksial diski öndürmek üçin esasy proseslere fiziki bug çöketligi (PVD), himiki bug çökdürilmegi (CVD) we epitaksial ösüş degişlidir.Bu prosesleriň hersiniň öz aýratynlyklary bar we iň gowy netijeleri gazanmak üçin dürli parametrlere takyk gözegçilik etmegi talap edýär.
1. PVD prosesi: Buglanmak ýa-da tüýkürmek we beýleki usullar bilen, SiC nyşany film döretmek üçin substrata goýulýar.Bu usul bilen taýýarlanan filmiň arassalygy we gowy kristallylygy bar, ýöne önümçilik tizligi birneme haýal.
2. CVD prosesi: Silikon karbid çeşmesi gazyny ýokary temperaturada döwmek bilen, inçe film döretmek üçin substrata goýulýar.Bu usul bilen taýýarlanan filmiň galyňlygy we birmeňzeşligi gözegçilikde saklanýar, ýöne arassalygy we kristallygy pes.
3. Epitaksial ösüş: monokristally kremniniň ýa-da himiki buglary çöketmek usuly bilen beýleki monokristally materiallarda SiC epitaksial gatlagynyň ösüşi.Bu usul bilen taýýarlanan epitaksial gatlak substrat materialy bilen oňat gabat gelýär we ajaýyp öndürijilige eýedir, ýöne bahasy gaty ýokary.
三 、 Programmanyň geljegi: Geljegi ýagtylandyryň
Kuwwatly elektronika tehnologiýasynyň yzygiderli ösmegi we ýokary öndürijilikli we ýokary ygtybarly elektron enjamlaryna bolan islegiň artmagy bilen, kremniý karbid epitaksial diski ýarymgeçiriji enjam öndürmekde giň amaly perspektiwasyna eýe.Elektroniki wyklýuçateller, inwertorlar, düzediji we ş.m. ýaly ýokary ýygylykly ýokary güýçli ýarymgeçiriji enjamlary öndürmekde giňden ulanylýar. Mundan başga-da, gün öýjüklerinde, LED we beýleki ugurlarda hem giňden ulanylýar.
Özboluşly öndürijilik artykmaçlyklary we önümçilik prosesiniň yzygiderli kämilleşdirilmegi bilen, kremniy karbid epitaksial diski ýarymgeçiriji meýdançasyndaky ägirt uly mümkinçiliklerini kem-kemden görkezýär.Ylmyň we tehnologiýanyň geljeginde has möhüm rol oýnajakdygyna ynanmaga esaslarymyz bar.
Iş wagty: 28-2023-nji noýabr