SiC ýekeje kristal ösüşinde tohum kristallaryny taýýarlamak prosesi 3

Ösüşi barlamak
Thekremniy karbid (SiC)tohum kristallary görkezilen amaldan soň taýýarlandy we SiC kristal ösüşi arkaly tassyklandy. Ulanylan ösüş platformasy, 2200 a ösüş temperaturasy, 200 Pa basyş basyşy we 100 sagat ösüş dowamlylygy bilen özbaşdak işlenip düzülen SiC induksiýa peçidi.

Taýýarlyk a6 dýuýmlyk SiC wafliuglerod we kremniniň ýüzi ýalpyldawuk, awafligalyňlygy birmeňzeşligi ≤10 µm, kremniniň ýüzi gödekligi ≤0.3 nm. Şeýle hem diametri 200 mm, galyňlygy 500 µm bolan grafit kagyzy, ýelim, alkogol we linsiz matalar hem taýýarlandy.

TheSiC wafli1500 r / min-da 15 sekuntlap ​​baglanyşyk ýüzüne ýelim bilen örtüldi.

Baglaýjy ýüzündäki ýelimSiC wafligyzgyn tabakda guradyldy.

Grafit kagyzy weSiC wafli(aşak seredýän baglanyşyk ýeri) aşakdan ýokara berkidilip, tohum kristal gyzgyn press peçine ýerleşdirildi. Gyzgyn basmak, öňünden kesgitlenen gyzgyn metbugat işine laýyklykda geçirildi. 6-njy suratda ösüş prosesinden soň tohum kristalynyň üstü görkezilýär. Tohum kristalynyň ýüzüniň delaminasiýa alamatlary bilen tekizdigini görmek bolýar, bu işde taýýarlanan SiC tohum kristallarynyň ýokary hilli we dykyz baglanyşyk gatlagynyň bardygyny görkezýär.

Netije
Tohum kristalyny berkitmek üçin häzirki baglanyşyk we asma usullaryny göz öňünde tutup, birleşdirmek we asmak usuly teklip edildi. Bu gözleg uglerod filmini taýýarlamaga wewafli/ şu usul üçin zerur bolan grafit kagyzy baglamak prosesi, aşakdaky netijelere getirýär:

Wafldaky uglerod plyonkasy üçin zerur ýelimiň 100 mPa · s, karbonizasiýa temperaturasy ≥600 bolmaly. Iň amatly karbonizasiýa gurşawy argon bilen goralýan atmosferadyr. Wakuum şertlerinde edilse, wakuum derejesi ≤1 Pa bolmaly.

Karbonizasiýa we baglanyşyk amallary, karbonizasiýa döwründe gazlary çykarmak üçin wafli üstündäki karbonizasiýa we birleşdiriji ýelimleriň pes temperaturaly bejergisini talap edýär, karbonizasiýa döwründe baglanyşyk gatlagynyň gabygynyň we boşluklarynyň öňüni alýar.

Wafli / grafit kagyzy üçin birleşdiriji ýelim, m15 kN basyş basyşy bilen 25 mPa · s ýapyşykly bolmaly. Baglanyş döwründe, takmynan 1,5 sagadyň dowamynda pes temperatura aralygynda (<120 ℃) ​​haýal ýokarlanmaly. SiC kristal ösüş barlagy, taýýarlanan SiC tohum kristallarynyň ýokary hilli SiC kristal ösmegi üçin talaplara laýyk gelýändigini, tekiz tohum kristal ýüzleri we çökündileri ýokdygyny tassyklady.