Ondarymgeçiriji meýdanynda, her bir komponentiň durnuklylygy tutuş proses üçin gaty möhümdir. Şeýle-de bolsa, ýokary temperaturaly gurşawda grafit aňsat okislenýär we ýitýär we SiC örtügi grafit bölekleri üçin durnukly goragy üpjün edip biler. InIcarymtopar, 5 grafitden aşakda grafitiň arassalygyna gözegçilik edip bilýän öz grafit arassalaýyş enjamlarymyz bar. Silikon karbid örtüginiň arassalygy 0,5 ppm-den pesdir.
China Hytaý bazarynda ýokary hilli
“Gowy hyzmat elmydama siziň üçin, 7 * 24 sagat
DeliverySiz gowşurylan senesi
“Kiçijik MOQ hoş geldiňiz we kabul edildi
OstHörite hyzmatlar
Epitaksi ösüşiniň duýgurlygy
Silikon / kremniy karbid wafli, elektron enjamlarynda ulanmak üçin birnäçe prosesi başdan geçirmeli. Möhüm proses, kremniniň / sik epitaksidir, onda kremniý / sik wafli grafit bazasynda amala aşyrylýar. “Semicera” -nyň kremniý karbid bilen örtülen grafit bazasynyň aýratyn artykmaçlyklary aşa ýokary arassalygy, birmeňzeş örtük we örän uzak ömri öz içine alýar. Şeýle hem ýokary himiki garşylyk we ýylylyk durnuklylygy bar.
LED çip öndürmek
MOCVD reaktorynyň giň örtügi wagtynda planetar bazasy ýa-da daşaýjy substrat wafli hereket edýär. Esasy materialyň öndürijiligi örtügiň hiline uly täsir edýär, bu bolsa öz gezeginde çipiň döwülmegine täsir edýär. “Semicera” -yň kremniy karbid bilen örtülen bazasy ýokary hilli LED wafli önümçiliginiň netijeliligini ýokarlandyrýar we tolkun uzynlygynyň gyşarmagyny azaldýar. Şeýle hem häzirki wagtda ulanylýan ähli MOCVD reaktorlary üçin goşmaça grafit komponentleri bilen üpjün edýäris. Silikon karbid örtügi bilen islendik komponenti diýen ýaly örtüp bileris, komponentiň diametri 1,5 metre çenli bolsa-da, kremniy karbid bilen örtüp bileris.
Ondarymgeçiriji meýdan, okislenme diffuziýa prosesi, We ş.m.
Ondarymgeçiriji prosesinde okislenmegi giňeltmek prosesi ýokary önüm arassalygyny talap edýär we Semicera-da kremniniň karbid bölekleriniň köpüsi üçin ýörite we CVD örtük hyzmatlaryny hödürleýäris.
Aşakdaky suratda Semisýanyň gödek gaýtadan işlenen kremniy karbid süýümi we 100-de arassalanan kremniy karbid peç turbasy görkezilýär.0derejetozansyzotag. Işçilerimiz örtükden öň işleýärler. Silikon karbidimiziň arassalygy 99,99% -e, sik örtüginiň arassalygy 99.99995% -den ýokary bolup biler.
Arassalamakda çig kremniy karbid paddeli we SiC prosessor turbasy
Silikon karbid wafli gaýyk CVD SiC örtükli
