Semicera öz-özüni ösdürdiSiC keramiki möhür bölegihäzirki zaman ýarymgeçiriji önümçiliginiň ýokary standartlaryna laýyk gelýär. Bu möhürleýji bölek ýokary öndürijiligi ulanýarkremniy karbid (SiC)ajaýyp gurşawda ajaýyp möhürleme öndürijiligini üpjün etmek üçin ajaýyp eşik garşylygy we himiki durnuklylygy bolan material. Bilenalýumin oksidi (Al2O3)wekremniý nitrid (Si3N4), bu bölek ýokary temperaturaly programmalarda gowy ýerine ýetirýär we gazyň we suwuklygyň syzmagynyň öňüni alyp biler.
Equipmentaly enjamlar bilen bilelikde ulanylandawafli gaýyklarwe wafli göterijiler, SemiceraSiC keramiki möhür bölegiumumy ulgamyň netijeliligini we ygtybarlylygyny ep-esli ýokarlandyryp biler. Iň ýokary temperatura garşylygy we poslama garşylygy ony ýokary takyk ýarymgeçiriji önümçiliginde aýrylmaz komponente öwürýär, önümçilik döwründe durnuklylygy we howpsuzlygy üpjün edýär.
Mundan başga-da, bu möhürleýji bölegiň dizaýny, dürli önümçilik liniýalarynda ulanmagy aňsatlaşdyrýan dürli enjamlar bilen sazlaşyklylygy üpjün etmek üçin seresaplylyk bilen optimallaşdyryldy. “Semicera” -nyň gözleg we barlag topary, önümleriniň bu pudakda bäsdeşlige ukyplylygyny üpjün etmek üçin tehnologiki innowasiýalary öňe sürmek üçin köp işlemegini dowam etdirýär.
“Semicera” -ny saýlamakSiC keramiki möhür bölegi, has netijeli önümçilik proseslerine we önümiň ajaýyp hiline ýetmäge kömek edip, ýokary öndürijilik we ygtybarlylyk kombinasiýasyny alarsyňyz. “Semicera”, müşderilere pudagyň üznüksiz ösüşini we ösüşini öňe sürmek üçin iň oňat ýarymgeçiriji çözgütleri we hyzmatlary hödürlemegi maksat edinýär.
China Hytaý bazarynda ýokary hilli
“Gowy hyzmat elmydama siziň üçin, 7 * 24 sagat
DeliverySiz gowşurylan senesi
“Kiçijik MOQ hoş geldiňiz we kabul edildi
OstHörite hyzmatlar
Epitaksi ösüşiniň duýgurlygy
Silikon / kremniy karbid wafli, elektron enjamlarynda ulanmak üçin birnäçe prosesi başdan geçirmeli. Möhüm proses, kremniniň / sik epitaksidir, onda kremniý / sik wafli grafit bazasynda amala aşyrylýar. “Semicera” -nyň kremniý karbid bilen örtülen grafit bazasynyň aýratyn artykmaçlyklary aşa ýokary arassalygy, birmeňzeş örtük we örän uzak ömri öz içine alýar. Şeýle hem ýokary himiki garşylyk we ýylylyk durnuklylygy bar.
LED çip öndürmek
MOCVD reaktorynyň giň örtügi wagtynda planetar bazasy ýa-da daşaýjy substrat wafli hereket edýär. Esasy materialyň öndürijiligi örtügiň hiline uly täsir edýär, bu bolsa öz gezeginde çipiň döwülmegine täsir edýär. “Semicera” -yň kremniy karbid bilen örtülen bazasy ýokary hilli LED wafli önümçiliginiň netijeliligini ýokarlandyrýar we tolkun uzynlygynyň gyşarmagyny azaldýar. Şeýle hem häzirki wagtda ulanylýan ähli MOCVD reaktorlary üçin goşmaça grafit komponentleri bilen üpjün edýäris. Silikon karbid örtügi bilen islendik komponenti diýen ýaly örtüp bileris, komponentiň diametri 1,5 metre çenli bolsa-da, kremniy karbid bilen örtüp bileris.
Ondarymgeçiriji meýdan, okislenme diffuziýa prosesi, We ş.m.
Ondarymgeçiriji prosesinde okislenmegi giňeltmek prosesi ýokary önüm arassalygyny talap edýär we Semicera-da kremniniň karbid bölekleriniň köpüsi üçin ýörite we CVD örtük hyzmatlaryny hödürleýäris.
Aşakdaky suratda Semisýanyň gödek gaýtadan işlenen kremniy karbid süýümi we 100-de arassalanan kremniy karbid peç turbasy görkezilýär.0derejetozansyzotag. Işçilerimiz örtükden öň işleýärler. Silikon karbidimiziň arassalygy 99,99% -e, sik örtüginiň arassalygy 99.99995% -den ýokary bolup biler.
Arassalamakda çig kremniy karbid paddeli we SiC prosessor turbasy
Silikon karbid wafli gaýyk CVD SiC örtükli
