MOCVD üçin SiC örtülen grafit bazasynyň duýgurlary

Gysga düşündiriş:

Icarymgeçirijiniň ösüş proseslerini özgertmek üçin döredilen Semicera tarapyndan MOCVD üçin iň ýokary SiC örtülen grafit bazasy duýgurlary. Iceokary hilli SiC bilen örtülen grafit bazasy bolan “Semicera” -nyň iň häzirki zaman duýgurlygy, MOCVD programmalarynda deňsiz-taýsyz öndürijiligi we netijeliligi hödürleýär.


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Düşündiriş

SiC örtülen grafit bazasynyň duýgurlaryicarym ýarymdan MOCVD üçin epitaksial ösüş proseslerinde ajaýyp öndürijilik üpjün etmek üçin işlenip düzülendir. Grafit bazasyndaky ýokary hilli kremniy karbid örtügi, MOCVD (Metal Organiki Himiki Bug Depozisi) amallary wagtynda durnuklylygy, çydamlylygy we optimal ýylylyk geçirijiligini üpjün edýär. “Semicera” -nyň innowasiýa duýgur tehnologiýasyny ulanyp, ösen takyklygy we netijeliligi gazanyp bilersiňizSi EpitaxyweSiC Epitaxygoýmalary.

BularMOCVD şübheliýaly möhüm ýarymgeçiriji komponentleri goldamak üçin niýetlenendirPSS ýük daşaýjy, ICP ýük daşaýjy, weRTP daşaýjy, dürli etikasiýa we epitaksial meseleler üçin köp taraply etmek. “Semicera” -nyň ýokary standartlara ygrarlylygy, bu duýgurlaryň häzirki zaman ýarymgeçiriji önümçiliginiň berk talaplaryny kanagatlandyrmagyny üpjün edýär.

Ulanmak üçin amatlyLED epitaksialSusseptor, Barrel Susceptor we Monocrystalline Silikon prosessleri, bu duýgurlar dürli wafli ululyklarda, şol sanda Pancake Susceptor konfigurasiýalarynda düzülip bilner. Şeýle hem, Fotowoltaik bölekleri dolandyrmakda örän täsirli bolup, olary gün öýjükleriniň ösüşinde möhüm elemente öwürýär.

Mundan başga-da, MOCVD üçin SiC örtülen grafit bazasy duýgurlary, SiC Epitaxy-da GaN üçin optimallaşdyrylyp, ösen ýarymgeçiriji materiallar bilen ýokary laýyklygy hödürleýär. Hasyllylygy ýokarlandyrmaga ýa-da epitaksial ösüşiň hilini ýokarlandyrmaga gönükdirilen bolsaňyz, ýarym ýarymyň duýgurlary ýokary tehnologiýaly pudaklarda üstünlik gazanmak üçin zerur ygtybarlylygy we öndürijiligi üpjün edýär.

 

Esasy aýratynlyklary

1 .Hokary arassalygy SiC örtülen grafit

2. Iň ýokary ýylylyga garşylyk we ýylylyk birmeňzeşligi

3. GowySiC kristal örtüklitekiz ýer üçin

4. Himiki arassalama garşy ýokary çydamlylyk

 

CVD-SIC örtükleriniň esasy aýratynlyklary:

SiC-CVD
Dykyzlygy (g / cc) 3.21
Fleksural güýç (Mpa) 470
Malylylyk giňelmesi (10-6 / K) 4
Malylylyk geçirijiligi (W / mK) 300

Gaplamak we eltip bermek

Üpjünçilik ukyby:
Aýda 10000 bölek / bölek
Gaplamak we eltip bermek:
Gaplamak: Standart we güýçli gaplamak
Poli halta + guty + karton + palet
Port:
Ningbo / Şençzhenen / Şanhaý
Gurşun wagty:

Mukdary (bölekler)

1-1000

> 1000

Est. Wagt (günler) 30 Gepleşik geçirmek
Semicera Iş ýeri
Semicera iş ýeri 2
Enjam enjamy
CNN gaýtadan işlemek, himiki arassalamak, CVD örtük
“Semicera” ammar jaýy
Biziň hyzmatymyz

  • Öňki:
  • Indiki: