SiC Epitaxy WaferDaşaýjy köp uýgunlaşma görnüşine eýe. Diňe çeýe öwrülmegi goldamaýar6 dýuým waflidaşaýjy we2 dýuým waflidaşaýjy, ýöne LPE SiC epitaksi ýaly dürli epitaksiýa görnüşlerini goşmak bilen dürli epitaks enjamlarynda hem ulanylyp bilner. Mundan başga-da, önüm ýokary islegli ýarymgeçiriji önümçiligine laýyk gelýän wafli göwnejaý geçmegini we ýokary takyk işlemegini üpjün etmek üçin aýna göteriji wafli bilen ulanylyp bilner.
Semicera'sSiC EpitaxyWafer Carrier, ýokary temperaturany we poslama garşylygy ep-esli ýokarlandyrýan we çylşyrymly epitaksiýa şertlerinde has ýokary edip, kremniy karbid boýag ýüzüni bejermekden peýdalanýar. IçindeGaN Epi Waferönümçilik ýa-da epitaksiýa prosesi, ýarym önümler ajaýyp wafli ýüklemegi üpjün edip biler, stresleri we kemçilikleri azaldyp, soňky önümiň hilini ýokarlandyryp biler.
“Semicera” ýarymgeçiriji pudagy üçin täsirli we ygtybarly wafli ýüklemek çözgütleri bilen üpjün etmegi maksat edinýär. Ajaýyp öndürijiligi we dizaýny bilenSiC Epitaxy WaferDaşaýjy, epitaksiýa enjamlaryňyza iň oňat goldaw berýän dürli epitaksiýa proseslerinde aýrylmaz bir bölekdir.
