Silikon karbid wafli gaýyk

Gysga düşündiriş:

“Semicera Energy Technology Co., Ltd.” Öňdebaryjy ýarymgeçiriji keramikany öňdebaryjy üpjün ediji we Hytaýda bir wagtyň özünde ýokary arassa kremniy karbid keramikasyny üpjün edip biljek ýeke-täk öndüriji (esasanamGaýtadan guruldy SiC) we CVD SiC örtük.Mundan başga-da, kompaniýamyz alýumin, alýumin nitrid, sirkoniýa we kremniý nitrid ýaly keramiki meýdanlara ygrarly.

 

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

SiC gaýyk çekmek (3)
SiC gaýyk çekmek (1)

SiC önüm aýratynlyklary

Temperatureokary temperatura we poslama çydamly, wafliň hilini we öndürijiligini ýokarlandyrýar

SiC kremniy karbidi aňladýar.Silikon karbid (SiC) ýokary temperaturaly peçiň eremegi arkaly kwars gumundan, koksdan we beýleki çig maldan ýasalýar.Silikon karbidiň häzirki senagat önümçiliginde gara kremniy karbid we ýaşyl kremniy karbid iki görnüşi bar.Bularyň ikisi hem altyburç kristal, aýratyn agyrlyk güýji 3.21g / cm3, mikro gatylygy 2840 ~ 3320kg / mm2.

Iň azyndan 70 görnüşli kristal kremniy karbid, pes agyrlyk güýji 3.21g / sm3 we ýokary temperatura güýji sebäpli podşipnikler ýa-da ýokary temperaturaly peç çig mallary üçin amatlydyr.islendik basyşda ýetip bolmaýar we ep-esli pes himiki işjeňlige eýe bolýar.

Şol bir wagtyň özünde, köp adam ýokary ýylylyk geçirijiligi, ýokary elektrik togunyň güýji we iň ýokary tok dykyzlygy sebäpli kremnini kremniy karbid bilen çalyşmaga synanyşdy.Recentlyakynda ýarymgeçirijiniň ýokary güýçli komponentlerini ulanmakda.Aslynda, ýylylyk geçirijiliginde kremniy karbid substraty, sapfir substratyndan 10 esse ýokary, şonuň üçin ýokary geçirijilik we ýylylyk geçirijiligi bilen kremniý karbid substraty LED komponentlerini ulanmak, ýokary güýçli LED öndürmek üçin has amatly.

Tehniki parametrler

图片 1
Semicera Iş ýeri
Semicera iş ýeri 2
Enjam enjamy
CNN gaýtadan işlemek, himiki arassalamak, CVD örtük
Biziň hyzmatymyz

  • Öňki:
  • Indiki: