Önümiň beýany
Kompaniýamyz, grafitiň, keramikanyň we beýleki materiallaryň üstünde CVD usuly bilen SiC örtük hyzmatlaryny hödürleýär, uglerod we kremnini öz içine alýan ýörite gazlar ýokary arassalyk SiC molekulalaryny, örtülen materiallaryň üstünde goýlan molekulalary almak üçin ýokary temperaturada täsir eder, SIK gorag gatlagyny emele getirýär.
Esasy aýratynlyklary:
1. temperatureokary temperaturaly okislenme garşylygy:
oksidlenme garşylygy, temperatura 1600 C-den ýokary bolanda henizem gaty gowy.
2. Highokary arassalygy: ýokary temperaturaly hlorlaşma şertinde himiki buglaryň çökmegi bilen öndürilýär.
3. Eroziýa garşylygy: ýokary gatylyk, ykjam ýer, inçe bölejikler.
4. Poslama garşylyk: kislota, aşgar, duz we organiki reagentler.
CVD-SIC örtüginiň esasy aýratynlyklary
| SiC-CVD häsiýetleri | ||
| Kristal gurluş | FCC β tapgyry | |
| Dykyzlygy | g / sm ³ | 3.21 |
| Gatylyk | Wikers gatylygy | 2500 |
| Galla ölçegi | μm | 2 ~ 10 |
| Himiki arassalyk | % | 99.99995 |
| Atylylyk kuwwaty | J · kg-1 · K-1 | 640 |
| Sublimasiýa temperaturasy | ℃ | 2700 |
| Felexural güýç | MPa (RT 4 bal) | 415 |
| Youngaş modul | Gpa (4pt egilmek, 1300 ℃) | 430 |
| Malylylyk giňelişi (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Malylylyk geçirijiligi | (W / mK) | 300 |
