Silikon karbid substratlary | SiC wafli

Silikon Karbid substratlary | SiC Wafers Aýratyn surat

Gysga düşündiriş:

“Semicera Energy Technology Co., Ltd.”, wafli we ösen ýarymgeçiriji sarp ediş materiallary boýunça ýöriteleşen öňdebaryjy üpjün edijidir. Icarymgeçiriji önümçiligine, fotoelektrik senagatyna we beýleki ugurlara ýokary hilli, ygtybarly we innowasiýa önümleri bermäge bagyşlanýarys.

Önümimiziň hataryna kremniý karbid, kremniý nitrid, alýumin oksidi we ş.m. ýaly dürli materiallary öz içine alýan SiC / TaC örtülen grafit önümleri we keramiki önümler bar.

Häzirki wagtda arassalygy 99.9999% SiC örtük we 99,9% kremniy karbid bilen arassalanan ýeke-täk öndüriji. Iň ýokary SiC örtük uzynlygy 2640mm edip bileris.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Silikon karbid (SiC) ýeke kristal materialda uly zolakly boşluk giňligi (~ Si 3 gezek), ýokary ýylylyk geçirijiligi (~ Si 3,3 gezek ýa-da GaAs 10 gezek), ýokary elektron doýgunlygyň göçüş tizligi (~ Si 2,5 esse), ýokary bölek elektrik meýdan (~ Si 10 gezek ýa-da GaAs 5 gezek) we beýleki ajaýyp aýratynlyklar.

SiC enjamlary ýokary temperatura, ýokary basyş, ýokary ýygylyk, ýokary kuwwatly elektron enjamlary we howa giňişligi, harby, ýadro energiýasy we ş.m. ýaly daşky gurşaw programmalarynda ýerine ýetirip bolmajak artykmaçlyklara eýedir, adaty ýarymgeçiriji material enjamlarynyň kemçiliklerini iş ýüzünde düzýär. goýmalary we kem-kemden güýç ýarymgeçirijileriniň esasy akymyna öwrülýär.

4H-SiC Silikon karbid substrat aýratynlyklary

Element	Aýratynlyklar 参数
Politip 晶型	4H -SiC	6H- SiC
Diametri 晶圆直径	2 dýuým \| 3 dýuým \| 4 dýuým \| 6inç	2 dýuým \| 3 dýuým \| 4 dýuým \| 6inç
Galyňlyk 厚度	330 μm ~ 350 μm	330 μm ~ 350 μm
Geçirijilik 导电类型	N - görnüşi / ýarym izolýasiýa N型导电片/ 半绝缘片	N - görnüşi / ýarym izolýasiýa N型导电片/ 半绝缘片
Dopant 掺杂剂	N2 (Azot) V (Wanadim)	N2 (Azot) V (Wanadim)
Ugrukdyrma 晶向	<0001> okunda 4 ° -dan öçürilen ok <0001>	<0001> okunda 4 ° -dan öçürilen ok <0001>
Çydamlylyk 电阻率	0.015 ~ 0.03 ohm-sm (4H-N)	0.02 ~ 0,1 ohm-sm (6H-N)
Mikrop turbanyň dykyzlygy (MPD) 微管密度	≤10 / cm2 ~ ≤1 / cm2	≤10 / cm2 ~ ≤1 / cm2
TTV 总厚度变化	≤ 15 μm	≤ 15 μm
Aý / Warp 翘曲度	≤25 μm	≤25 μm
Faceüzü 表面处理	DSP / SSP	DSP / SSP
Baha 产品等级	Önümçilik / Gözleg derejesi	Önümçilik / Gözleg derejesi
Kristal gaplama yzygiderliligi 堆积方式	ABCB	ABCABC
Paneliň parametri 晶格参数	a = 3.076A, c = 10.053A	a = 3.073A, c = 15.117A
Mysal üçin / eV (Band-gap) 禁带宽度	3.27 eV	3.02 eV
ε (Dielektrik yzygiderli) 介电常数	9.6	9.66
Döwülme görkezijisi 折射率	n0 = 2.719 ne = 2.777	n0 = 2.707, ne = 2.755

6H-SiC Silikon Karbid substrat aýratynlyklary

Element	Aýratynlyklar 参数
Politip 晶型	6H-SiC
Diametri 晶圆直径	4 dýuým \| 6inç
Galyňlyk 厚度	350μm ~ 450μm
Geçirijilik 导电类型	N - görnüşi / ýarym izolýasiýa N型导电片/ 半绝缘片
Dopant 掺杂剂	N2 (Azot) V (Wanadim)
Ugrukdyrma 晶向	<0001> 4 ° ± 0,5 °
Çydamlylyk 电阻率	0.02 ~ 0,1 ohm-sm (6H-N görnüşi)
Mikrop turbanyň dykyzlygy (MPD) 微管密度	≤ 10 / cm2
TTV 总厚度变化	≤ 15 μm
Aý / Warp 翘曲度	≤25 μm
Faceüzü 表面处理	Si Face: CMP, Epi-taýýar C aceüz: optiki polýak
Baha 产品等级	Gözleg derejesi