Silikon karbid wafli eýesi

Gysga düşündiriş:

“Semicera” -nyň kremniy karbid wafli eýesi, ýokary temperaturaly we ýokary takyk epitaksiýa proseslerini goldamak üçin döredildi, esasanam Si Epitaxy we SiC Epitaxy ýaly önümçilik prosesleri üçin. Epitaksi prosesiniň esasy düzüm bölegi hökmünde ýarym önümden öndürilen bu önüm, innowasiýa dizaýny arkaly MOCVD Susceptor we PSS Etching Carrier ýaly programmalarda ajaýyp öndürijiligi üpjün edýär. “Semicera” ýarymgeçiriji önümçilik pudagy üçin hemişe netijeli we ygtybarly çözgütleri bermäge çalyşdy.


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Silikon Karbid Wafer eýesi diňe bir RTP Carrier, LED Epitaxial Susceptor we Barrel Susceptor üçin ulanylyp bilinmän, monokristally kremniniň önümçilik prosesinde durnukly ýüklenmegi hem goldaýar. Bu önüm, şeýle hem, Pancake Susceptor we Photovoltaic Parts-da gowy ýerine ýetirýär we GaC-iň SiC Epitaxy-da ulanylmagy üçin önümçiligiň netijeliligini ýokarlandyrýar we kemçilikleri azaldýar.

“Semicera” -nyň kremniy karbid wafli eýesi ýokary hilli kremniý karbid materiallaryny ulanýar, bu diňe bir ýokary ýokary temperatura garşylygy bolman, eýsem poslaýjy şertlerde durnukly bolup biler. “ICP Etching Carrier” -de bolsun ýa-da beýleki çylşyrymly epitaksiýa we emele getiriş proseslerinde bolsun, bu önüm wafli durnukly ýüklemegi üpjün edip biler, stresleri azaldyp, önümçiligiň hilini optimizirläp biler.

“Semicera” -nyň kremniy karbid wafli saklaýjysy çylşyrymly epitaksiýa we çişirme amallary üçin niýetlenendir. Ajaýyp öndürijiligi we ýokary berkligi bilen ýarymgeçiriji önümçiliginde iň oňat saýlama boldy. Si Epitaxy ýa-da SiC Epitaxy-ny goldaýan bolsun, semicera müşderilere birinji derejeli önümler we hyzmatlar bilen üpjün etmegi maksat edinýär.

Ajaýyp ýylylyk we poslama garşylyk, giňden ulanylýan ýarymgeçiriji önümçilik enjamlary

Wafer eýesi
LED epitaksi
Semicera Iş ýeri
Semicera iş ýeri 2
Enjam enjamy
CNN gaýtadan işlemek, himiki arassalamak, CVD örtük
“Semicera” ammar jaýy
Biziň hyzmatymyz

  • Öňki:
  • Indiki: