Silikon Karbid Wafer Pyýada

Silikon karbid wafli pedal aýratyn surat

Gysga düşündiriş:

“Semicera” -nyň kremniy karbidli wafli pedaly, epitaksiýa we epiş prosesleriniň netijeliligini ýokarlandyrmak üçin döredilen ýokary öndürijilikli platforma. Si Epitaxy we SiC Epitaxy ýaly amallary goldaýan esasy komponent hökmünde ýarym önümiň önümi aşa şertlerde ajaýyp durnuklylygy we takyklygy saklap biler. Monokristally kremniniň (Monokristally kremniniň) önümçiligi bolsun ýa-da SiC Epitaxy-da GaN bolsun, ýarym ýarym kremniniň karbid wafli pedaly dürli ýarymgeçirijiniň önümçilik zerurlyklaryny kanagatlandyryp biler.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Silikon Karbid Wafer Pyýadaýaly dürli möhüm enjamlar üçin amatlydyrMOCVD Susseptor, Pancake Susceptor, RTP Carrier we ş.m., şeýle hem gowy ýerine ýetirýärLED epitaksialduýgurlar (LED Epitaxial Susceptor) we barrel duýgurlary (Barrel Susceptor). “Semicera” -nyň önümleri fotowoltaik bölekler, PSS Etching Daşaýjylar we çylşyrymly proses şertlerinde hem ulanylyp bilner.ICP EtchingNetijeli önümçiligi we ýokary hilli taýýar önümleri üpjün etmek üçin daşaýjylar.

“Semicera” -nyň kremniy karbid wafli pedaly, esasanam ýokary temperaturada we poslaýjy şertlerde ösen materiallary we innowasiýa dizaýnyny ulanýar. Netijeli goldaw berip bilerLED epitaksi, fotowoltaika we beýleki çylşyrymly ýarymgeçiriji önümçilik prosesleri, stresleri we kemçilikleri azaldýar, wafli durnukly geçirmegi we gaýtadan işlemegi üpjün edýär we ýokary takyk önümçilik amallary üçin ygtybarly goragy üpjün edýär.

Epitaksi, ekiş ýa-da beýleki ýokary derejeli önümçilik proseslerini goldamaly bolsaňyz, ýarym ýarymyň Silikon Karbid Wafer pedaly size ajaýyp çözgütler berip biler. Ajaýyp öndürijiligi bilenSi EpitaxyweSiC Epitaxy, bu önüm ýarymgeçiriji prosesleriň netijeli işlemegini üpjün etmek üçin esasy komponentdir.