Silikon nitrid kremniý karbid bilen baglanyşdyrylýar
Si3N4 birleşdirilen SiC keramiki refrakter materialy, ýokary arassa SIC inçe tozy we Silikon tozy bilen garylýar, süýşüriş kursundan soň, reaksiýa 1400 ~ 1500 ° C-den pes bolýar. Arassalamak döwründe ýokary arassa azody peje dolduryp, kremniý azot bilen reaksiýa döreder we Si3N4 öndürer, şonuň üçin Si3N4 baglanyşdyrylan SiC materialy esasy çig mal hökmünde kremniý nitridden (23%) we kremniy karbidden (75%) ybaratdyr. , organiki materiallar bilen garylan we garyndy, ekstruziýa ýa-da guýmak bilen şekillendirilip, guradylandan we azotlaşdyrylandan soň ýasalýar.
Aýratynlyklary we artykmaçlyklary:
1.Hýokary temperatura çydamlylygy
2. highokary ýylylyk geçirijiligi we şok garşylygy
3.Yokary mehaniki güýç we aşgazana garşylyk
4. Ajaýyp energiýa netijeliligi we poslama garşylyk
Işleýän ýokary hilli we takyk işlenip taýýarlanan NSiC keramiki komponentlerini üpjün edýäris
1.Slip guýma
2.Göçürmek
3.Uni eksenel basmak
4.Isostatiki basyş
Material maglumatlar toplumy
| > Himiki düzümi | Sic | 75% |
| Si3N4 | ≥23% | |
| Mugt Si | 0% | |
| Köp dykyzlygy (g / cm3) | 2.70～2.80 | |
| Görünýän gözenek (%) | 12～15 | |
| Güýç 20 at (MPa) | 180～190 | |
| Güýç 1200 at (MPa) | 207 | |
| Güýç 1350 at (MPa) | 210 | |
| 20 at (MPa) -da gysyjy güýç | 580 | |
| 1200 at (w / mk) ýylylyk geçirijiligi | 19.6 | |
| 1200 at ýylylyk giňelme koeffisiýenti (x 10-6 /C) | 4.70 | |
| Malylylyk zarbasyna garşylyk | Gowy | |
| Maks. temperatura (℃) | 1600 | |
