“Semicera” -nyň kremniy on izolýator (SOI) Wafer ýarymgeçiriji innowasiýasynyň başynda durýar, güýçlendirilen elektrik izolýasiýasyny we ýokary ýylylyk öndürijiligini hödürleýär. Izolýasiýa substratynda inçe kremniy gatlagyndan ybarat SOI gurluşy, ýokary öndürijilikli elektron enjamlary üçin möhüm peýdalary üpjün edýär.
SOI wafli, ýokary tizlikli we pes güýçli integral zynjyrlary ösdürmek üçin zerur bolan parazit kuwwatyny we syzmak akymlaryny azaltmak üçin niýetlenendir. Bu ösen tehnologiýa, häzirki zaman elektronikasy üçin möhüm ähmiýete eýe bolan tizligi we energiýa sarp edilişini azaltmak bilen enjamlaryň has netijeli işlemegini üpjün edýär.
“Semicera” tarapyndan ulanylýan ösen önümçilik prosesleri ajaýyp birmeňzeşlik we yzygiderlilik bilen SOI wafli önümçiligini kepillendirýär. Bu hil, ygtybarly we ýokary öndürijilikli komponentler zerur bolan telekommunikasiýa, awtoulag we sarp ediş elektronikasyndaky programmalar üçin möhümdir.
Elektrik artykmaçlyklaryndan başga-da, “Semicera” -nyň SOI wafli ýokary ýylylyk izolýasiýasyny hödürleýär, ýokary dykyzlykly we ýokary güýçli enjamlarda ýylylygyň ýaýramagyny we durnuklylygyny ýokarlandyrýar. Bu aýratynlyk, ep-esli ýylylyk öndürmegi öz içine alýan we täsirli ýylylyk dolandyryşyny talap edýän programmalarda has möhümdir.
“Semicera” -nyň “Silikon On izolýator waferi” saýlap, iň täze tehnologiýalaryň ösmegini goldaýan önüme maýa goýarsyňyz. Hil we innowasiýa ygrarlylygymyz, SOI waflilerimiziň häzirki nesil elektron enjamlary üçin esas döredip, häzirki ýarymgeçiriji pudagynyň berk talaplaryny kanagatlandyrmagyny üpjün edýär.
| Harytlar | Önümçilik | Gözleg | Dummy |
| Kristal parametrler | |||
| Politip | 4H | ||
| Faceerüsti ugrukdyryş säwligi | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Elektrik parametrleri | |||
| Dopant | n görnüşli azot | ||
| Çydamlylyk | 0.015-0.025ohm · sm | ||
| Mehaniki parametrler | |||
| Diametri | 150.0 ± 0,2mm | ||
| Galyňlyk | 350 ± 25 μm | ||
| Esasy tekiz ugry | [1-100] ± 5 ° | ||
| Esasy tekiz uzynlyk | 47.5 ± 1,5mm | ||
| Ikinji kwartira | Hiç | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| Aý | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Öň (Si-face) gödeklik (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Gurluşy | |||
| Mikrop turbanyň dykyzlygy | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Metal hapalar | ≤5E10atoms / cm2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Öň hili | |||
| Öň tarapy | Si | ||
| Faceerüsti gutarmak | Si-ýüzli CMP | ||
| Bölejikler | ≤60ea / wafli (ölçegi≥0.3μm) | NA | |
| Dyrnaklar | ≤5ea / mm. Jemi uzynlygy ≤Diameter | Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA |
| Pyrtykal gabygy / çukur / tegmiller / çişmeler / çatryklar / hapalanma | Hiç | NA | |
| Gyrasy çipler / görkezijiler / döwük / alty sany plastinka | Hiç | ||
| Polip görnüşleri | Hiç | Jemi meýdany≤20% | Jemi meýdany ≤30% |
| Öňki lazer belligi | Hiç | ||
| Yzky hil | |||
| Yzyna | C ýüzli CMP | ||
| Dyrnaklar | ≤5ea / mm, Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA | |
| Yzky kemçilikler (gyrasy çipler / görkezijiler) | Hiç | ||
| Yzky gödeklik | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Yzky lazer belligi | 1 mm (ýokarky gyradan) | ||
| Gyrasy | |||
| Gyrasy | Çamfer | ||
| Gaplamak | |||
| Gaplamak | Wakuum gaplamak bilen epi taýýar Köp wafli kaseta gaplamasy | ||
| * Bellikler NA "NA" haýyş ýok, agzalmadyk zatlar SEMI-STD-e degişli bolup bilmez. | |||
