“Semicera Silikon Substrates” deňsiz-taýsyz hil we takyklygy hödürläp, ýarymgeçiriji pudagynyň berk talaplaryny kanagatlandyrmak üçin ýasalýar. Bu substratlar, integrirlenen zynjyrlardan başlap, fotoelektrik öýjüklerine çenli dürli amaly programmalar üçin ygtybarly binýady üpjün edýär, amatly öndürijiligi we uzak ömri üpjün edýär.
“Semicera Silikon Substrates” -iň ýokary arassalygy, ýokary öndürijilikli elektron bölekleriniň öndürilmegi üçin möhüm ähmiýete eýe bolan minimal kemçilikleri we ýokary elektrik aýratynlyklaryny üpjün edýär. Arassalygyň bu derejesi energiýa ýitgisini azaltmaga we ýarymgeçiriji enjamlaryň umumy netijeliligini ýokarlandyrmaga kömek edýär.
“Semicera” ajaýyp birmeňzeşlik we tekizlik bilen kremniý substratlary öndürmek üçin iň häzirki zaman önümçilik usullaryny ulanýar. Bu takyklyk ýarymgeçirijiniň ýasalyşynda yzygiderli netijelere ýetmek üçin zerurdyr, bu ýerde azajyk üýtgeşiklik hem enjamyň işleýşine we öndürijiligine täsir edip biler.
Dürli ululykda we spesifikasiýalarda bar bolan “Semicera Silicon Substrates” köp sanly önümçilik zerurlyklaryny kanagatlandyrýar. Öňdebaryjy mikroprosessorlary ýa-da gün panellerini ösdürýärsiňizmi, bu substratlar ýörite programmaňyz üçin zerur çeýeligi we ygtybarlylygy üpjün edýär.
“Semicera” ýarymgeçiriji pudagynda innowasiýany we netijeliligi goldamaga bagyşlanýar. Qualityokary hilli kremniy substratlar bilen üpjün etmek bilen, öndürijilere bazaryň ösýän talaplaryna laýyk gelýän önümleri eltip, tehnologiýanyň çäklerini öňe sürmäge mümkinçilik berýäris. Indiki nesliň elektron we fotoelektrik çözgütleri üçin “Semicera” -a ynanyň.
| Harytlar | Önümçilik | Gözleg | Dummy |
| Kristal parametrler | |||
| Politip | 4H | ||
| Faceerüsti ugrukdyryş säwligi | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Elektrik parametrleri | |||
| Dopant | n görnüşli azot | ||
| Çydamlylyk | 0.015-0.025ohm · sm | ||
| Mehaniki parametrler | |||
| Diametri | 150.0 ± 0,2mm | ||
| Galyňlyk | 350 ± 25 μm | ||
| Esasy tekiz ugry | [1-100] ± 5 ° | ||
| Esasy tekiz uzynlyk | 47.5 ± 1,5mm | ||
| Ikinji kwartira | Hiç | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| Aý | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Öň (Si-face) gödeklik (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Gurluşy | |||
| Mikrop turbanyň dykyzlygy | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Metal hapalar | ≤5E10atoms / cm2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Öň hili | |||
| Öň tarapy | Si | ||
| Faceerüsti gutarmak | Si-ýüzli CMP | ||
| Bölejikler | ≤60ea / wafli (ölçegi≥0.3μm) | NA | |
| Dyrnaklar | ≤5ea / mm. Jemi uzynlygy ≤Diameter | Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA |
| Pyrtykal gabygy / çukur / tegmiller / çişmeler / çatryklar / hapalanma | Hiç | NA | |
| Gyrasy çipler / görkezijiler / döwük / alty sany plastinka | Hiç | ||
| Polip görnüşleri | Hiç | Jemi meýdany≤20% | Jemi meýdany ≤30% |
| Öňki lazer belligi | Hiç | ||
| Yzky hil | |||
| Yzyna | C ýüzli CMP | ||
| Dyrnaklar | ≤5ea / mm, Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA | |
| Yzky kemçilikler (gyrasy çipler / görkezijiler) | Hiç | ||
| Yzky gödeklik | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Yzky lazer belligi | 1 mm (ýokarky gyradan) | ||
| Gyrasy | |||
| Gyrasy | Çamfer | ||
| Gaplamak | |||
| Gaplamak | Wakuum gaplamak bilen epi taýýar Köp wafli kaseta gaplamasy | ||
| * Bellikler NA "NA" haýyş ýok, agzalmadyk zatlar SEMI-STD-e degişli bolup bilmez. | |||
