Gaty CVD SiC halkasy

Gysga düşündiriş:

Gaty CVD SiC halkalary esasan kremniy karbidden (SiC) durýar we ajaýyp fiziki we himiki aýratynlyklara eýedir. Silikon karbid ýokary ereýän nokady, gaty gatylygy we ajaýyp poslama garşylygy bolan keramiki materialdyr. Highokary temperaturada ajaýyp ýylylyk geçirijiligini, himiki durnuklylygyny we mehaniki güýjüni görkezýär we ajaýyp könelmegine we aşgazana garşylygy bar.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Näme üçin gaty CVD SiC halkasy?

Gaty CVD SiC halkalarysenagat we ylmy ugurlarda ýokary temperaturada, poslaýjy we abraziw şertlerde giňden ulanylýar. Birnäçe amaly ugurlarda möhüm rol oýnaýar, şol sanda:

1. icarymgeçiriji önümçiligi:Gaty CVD SiC halkalaryýarymgeçiriji enjamlary ýylatmak we sowatmak, prosesiň takyklygyny we yzygiderliligini üpjün etmek üçin durnukly temperatura gözegçiligini üpjün etmek üçin ulanylyp bilner.

2. Optoelektronika: Ajaýyp ýylylyk geçirijiligi we ýokary temperatura garşylygy sebäpli,Gaty CVD SiC halkalarylazerler, süýümli optiki aragatnaşyk enjamlary we optiki komponentler üçin goldaw we ýylylyk paýlaýyş materiallary hökmünde ulanylyp bilner.

3. Takyk enjamlar: Gaty CVD SiC halkalary ýokary temperatura peçleri, wakuum enjamlary we himiki reaktorlar ýaly ýokary temperaturada we poslaýjy şertlerde takyk gurallar we enjamlar üçin ulanylyp bilner.

4. Himiýa senagaty: Gaty CVD SiC halkalary, poslama garşylygy we himiki durnuklylygy sebäpli himiki reaksiýalarda we katalitik proseslerde gaplarda, turbalarda we reaktorlarda ulanylyp bilner.

Biziň artykmaçlygymyz, näme üçin Semicera saýlamaly?

China Hytaý bazarynda ýokary hilli

“Gowy hyzmat elmydama siziň üçin, 7 * 24 sagat

DeliverySiz gowşurylan senesi

“Kiçijik MOQ hoş geldiňiz we kabul edildi

OstHörite hyzmatlar

Arza

Epitaksi ösüşiniň duýgurlygy

Silikon / kremniy karbid wafli, elektron enjamlarynda ulanmak üçin birnäçe prosesi başdan geçirmeli. Möhüm proses, kremniniň / sik epitaksidir, onda kremniý / sik wafli grafit bazasynda amala aşyrylýar. “Semicera” -nyň kremniý karbid bilen örtülen grafit bazasynyň aýratyn artykmaçlyklary aşa ýokary arassalygy, birmeňzeş örtük we örän uzak ömri öz içine alýar. Şeýle hem ýokary himiki garşylyk we ýylylyk durnuklylygy bar.

Silikon epitaksi şübheli

Silikon Karbid epitaksiýa duýgurlygy

LED çip öndürmek

MOCVD reaktorynyň giň örtügi wagtynda planetar bazasy ýa-da daşaýjy substrat wafli hereket edýär. Esasy materialyň öndürijiligi örtügiň hiline uly täsir edýär, bu bolsa öz gezeginde çipiň döwülmegine täsir edýär. “Semicera” -yň kremniy karbid bilen örtülen bazasy ýokary hilli LED wafli önümçiliginiň netijeliligini ýokarlandyrýar we tolkun uzynlygynyň gyşarmagyny azaldýar. Şeýle hem häzirki wagtda ulanylýan ähli MOCVD reaktorlary üçin goşmaça grafit komponentleri bilen üpjün edýäris. Silikon karbid örtügi bilen islendik komponenti diýen ýaly örtüp bileris, komponentiň diametri 1,5 metre çenli bolsa-da, kremniy karbid bilen örtüp bileris.

LED epitaksi duýgur

Ondarymgeçiriji meýdan, okislenme diffuziýa prosesi, We ş.m.

Ondarymgeçiriji prosesinde okislenmegi giňeltmek prosesi ýokary önüm arassalygyny talap edýär we Semicera-da kremniniň karbid bölekleriniň köpüsi üçin ýörite we CVD örtük hyzmatlaryny hödürleýäris.

Aşakdaky suratda Semisýanyň gödek gaýtadan işlenen kremniy karbid süýümi we 100-de arassalanan kremniy karbid peç turbasy görkezilýär.0derejetozansyzotag. Işçilerimiz örtükden öň işleýärler. Silikon karbidimiziň arassalygy 99,99% -e, sik örtüginiň arassalygy 99.99995% -den ýokary bolup biler.