“Semicera” tarapyndan hödürlenýän gaty kremniy karbid (SiC) Etching halkalary, himiki buglary çökdürmek (CVD) usuly bilen öndürilýär we takyk arassalamak amaly programmalarynda ajaýyp netije berýär. Bu gaty kremniy karbid (SiC) Etching halkalary ajaýyp gatylygy, ýylylyk durnuklylygy we poslama garşylygy bilen tanalýar we ýokary material hili CVD sintezi bilen üpjün edilýär.
Dökmek prosesleri üçin ýörite döredilen Solid Silikon Karbid (SiC) Etching halkalarynyň berk gurluşy we üýtgeşik material aýratynlyklary takyklygy we ygtybarlylygy gazanmakda möhüm rol oýnaýar. Adaty materiallardan tapawutlylykda, gaty SiC komponenti deňi-taýy bolmadyk berklige we könelişme garşylygyna eýe bolup, takyklygy we uzak ömri talap edýän pudaklarda aýrylmaz komponente öwrülýär.
Gaty kremniy karbid (SiC) Etching halkalary, ýokary öndürijiligini we ygtybarlylygyny üpjün etmek üçin takyk öndürilen we hil taýdan dolandyrylýar. Ondarymgeçiriji önümçiliginde bolsun ýa-da beýleki baglanyşykly ugurlarda bolsun, bu gaty kremniy karbid (SiC) Etching halkalary durnukly efir öndürijiligini we ajaýyp netijelerini üpjün edip biler.
Solid Silikon Carbide (SiC) Etching halkasy bilen gyzyklanýan bolsaňyz, bize ýüz tutmagyňyzy haýyş edýäris. Toparymyz, islegleriňizi kanagatlandyrmak üçin jikme-jik önüm maglumatlary we hünär tehniki goldawy bilen üpjün eder. Biz siziň bilen uzak möhletli hyzmatdaşlygy ýola goýmaga we pudagyň ösüşini bilelikde ösdürmäge sabyrsyzlyk bilen garaşýarys.
China Hytaý bazarynda ýokary hilli
“Gowy hyzmat elmydama siziň üçin, 7 * 24 sagat
DeliverySiz gowşurylan senesi
“Kiçijik MOQ hoş geldiňiz we kabul edildi
OstHörite hyzmatlar
Epitaksi ösüşiniň duýgurlygy
Silikon / kremniy karbid wafli, elektron enjamlarynda ulanmak üçin birnäçe prosesi başdan geçirmeli. Möhüm proses, kremniniň / sik epitaksidir, onda kremniý / sik wafli grafit bazasynda amala aşyrylýar. “Semicera” -nyň kremniý karbid bilen örtülen grafit bazasynyň aýratyn artykmaçlyklary aşa ýokary arassalygy, birmeňzeş örtük we örän uzak ömri öz içine alýar. Şeýle hem ýokary himiki garşylyk we ýylylyk durnuklylygy bar.
LED çip öndürmek
MOCVD reaktorynyň giň örtügi wagtynda planetar bazasy ýa-da daşaýjy substrat wafli hereket edýär. Esasy materialyň öndürijiligi örtügiň hiline uly täsir edýär, bu bolsa öz gezeginde çipiň döwülmegine täsir edýär. “Semicera” -yň kremniy karbid bilen örtülen bazasy ýokary hilli LED wafli önümçiliginiň netijeliligini ýokarlandyrýar we tolkun uzynlygynyň gyşarmagyny azaldýar. Şeýle hem häzirki wagtda ulanylýan ähli MOCVD reaktorlary üçin goşmaça grafit komponentleri bilen üpjün edýäris. Silikon karbid örtügi bilen islendik komponenti diýen ýaly örtüp bileris, komponentiň diametri 1,5 metre çenli bolsa-da, kremniy karbid bilen örtüp bileris.
Ondarymgeçiriji meýdan, okislenme diffuziýa prosesi, We ş.m.
Ondarymgeçiriji prosesinde okislenmegi giňeltmek prosesi ýokary önüm arassalygyny talap edýär we Semicera-da kremniniň karbid bölekleriniň köpüsi üçin ýörite we CVD örtük hyzmatlaryny hödürleýäris.
Aşakdaky suratda Semisýanyň gödek gaýtadan işlenen kremniy karbid süýümi we 100-de arassalanan kremniy karbid peç turbasy görkezilýär.0derejetozansyzotag. Işçilerimiz örtükden öň işleýärler. Silikon karbidimiziň arassalygy 99,99% -e, sik örtüginiň arassalygy 99.99995% -den ýokary bolup biler.
Arassalamakda çig kremniy karbid paddeli we SiC prosessor turbasy
Silikon karbid wafli gaýyk CVD SiC örtükli
