Semicera tanyşdyrmak üçin buýsanýarTaC örtülen wafli şübheli, Tantalum Karbidiň ajaýyp aýratynlyklaryny üpjün etmek üçin innowasion CVD örtük prosesini ulanyp, ýokary temperatura prosesleriniň zerurlyklaryny kanagatlandyrmak üçin ýörite işlenip düzüldi. “Wafer Susceptor” ýokary temperaturada we poslaýjy atmosferalarda gowy işleýär, ajaýyp himiki inertligi we ýylylyk durnuklylygyny görkezýär, ekstremal şertlerde ygtybarly işlemegi üpjün edýär.
Bu Wafer Susceptor ýokary hilli ulanýarTaC örtük, diňe bir aşgazan garşylygyny ep-esli gowulandyrman, eýsem himiki poslama garşy täsirli bolup, uzak ömri üpjün edýär. Silikon epitaksiýasynda, ösüşde ýa-da beýleki ýarymgeçiriji programmalarda bolsun, “Semicera” -yň “TaC Coated Wafer Susceptor” ulanyjylara durnukly we täsirli gaýtadan işlemegi üpjün edip biler.
“Semicera” müşderilere öňdebaryjy materiallar we tehnologiýalar bilen üpjün etmek meselesinde hemişe ygrarlydy. BiziňkiTaC örtülen wafli şübhelidizaýn we önümçilik prosesinde her önümiň iň ýokary standartlara laýyk gelmegini üpjün etmek üçin berk hil gözegçiliginden geçýär. Müşderilere çylşyrymly ýarymgeçiriji önümçiliginde has ýokary önümçilik netijeliligini we önümiň hilini gazanmak üçin maddy formulalary we amallary gowulandyrmagy dowam etdirýäris.
“Semicera” -ny saýlanyňyzdaTaC örtükli wafli saklaýjy, ýokary temperaturada we poslaýjy şertlerde ajaýyp öndürijiligi üpjün edýän, önümçilik programmalaryňyzyň täze belentliklere ýetmegine kömek edýän ýokary hilli önüm alarsyňyz.
bilen we TaC bilen
TaC ulanandan soň (sagda)
