“Semicera” dürli komponentler we göterijiler üçin ýöriteleşdirilen tantal karbid (TaC) örtüklerini üpjün edýär.“Semicera” öňdebaryjy örtük prosesi tantal karbid (TaC) örtüklerine ýokary arassalygy, ýokary temperatura durnuklylygyny we ýokary himiki çydamlylygy gazanmaga, SIC / GAN kristallarynyň we EPI gatlaklarynyň önüminiň hilini ýokarlandyrmaga mümkinçilik berýär (Grafit bilen örtülen TaC duýgur) we esasy reaktor komponentleriniň ömrüni uzaltmak. Tantal karbid TaC örtüginiň ulanylmagy, gyradaky meseläni çözmek we hrustal ösüşiň hilini ýokarlandyrmakdyr, Semicera bolsa tantal karbid örtük tehnologiýasyny (CVD) halkara ösen derejä ýetirip, üstünlik gazandy.
Tantal karbid bilen örtülen möhür halkalary himiýa senagaty, nebit we gaz senagaty, howa giňişligi, ýarymgeçiriji önümçiligi we ş.m. möhürlemekde giňden ulanylýar, ygtybarly möhürlemek işini üpjün etmek üçin turbalary, klapanlary, nasos ulgamlaryny we beýleki enjamlary möhürlemekde ulanylýar, syzmagynyň we hapalanmagynyň öňüni alyň we ulgamyň kadaly işlemegini üpjün ediň.
Tantal karbid bilen örtülen möhür halkasynyň aýratynlyklary aşakdakylar:
1.
2. Poslama garşylyk: Tantal karbid örtügi dürli himiki maddalaryň we erginleriň eroziýasyna garşy durup biler, ajaýyp poslama garşylygy we poslaýjy şertlerde ulanmak üçin amatlydyr.
3. Ajaýyp möhürleme öndürijiligi: Tantal karbid bilen örtülen möhür halkasy gowy möhürleýiş ukybyna eýe, gazyň ýa-da suwuklygyň syzmagynyň öňüni alyp biler we ulgamyň howpsuzlygyny we durnukly işlemegini üpjün edip biler.
4.
bilen we TaC bilen
TaC ulanandan soň (sagda)
Mundan başga-da, Semicera'sTaC bilen örtülen önümlerbilen deňeşdirilende has uzak hyzmat ediş möhletini we has ýokary temperatura garşylygyny görkezýärSiC örtükleri.Laboratoriýa ölçegleri biziň muny görkezdiTaC örtükleriuzak wagtlap 2300 gradusa çenli temperaturada yzygiderli çykyş edip biler. Aşakda nusgalarymyzyň käbir mysallary:
