Tantal karbid örtükli grafit plastinka

Gysga düşündiriş:

“Semicera” tarapyndan öndürilen “Tantalum karbid örtükli grafit plastinka”, kremniý karbid epitaksiýasynda we kristal ösmeginde ýokary öndürijilikli programmalar üçin işlenip düzülendir. Bu tabak ýokary temperaturaly, poslaýjy we ýokary basyşly şertlerde ajaýyp durnuklylygy hödürleýär. Ösen reaktorlarda we peç gurluşlarynda ulanmak üçin amatly, ulgamyň işleýşini we uzak ömrüni ýokarlandyrýar. “Semicera” in engineeringenerçilik zerurlyklaryny talap etmek üçin iň täze örtük tehnologiýasy bilen ýokary hilli we ygtybarlylygy üpjün edýär.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Tantal karbid bilen örtülen grafit sahypasyinçe gatlakly grafit materialydyrtantal karbidisubstratyň üstünde. Tantal karbidiň inçe gatlagy, adatça grafit substratyň üstünde fiziki bug çökdürilmegi (PVD) ýa-da himiki bug çökdürilmegi (CVD) ýaly usullar bilen emele gelýär. Bu örtük ýokary gatylyk, ajaýyp aşaga garşylyk, poslama garşylyk we ýokary temperatura durnuklylygy ýaly ajaýyp häsiýetlere eýedir.

“Semicera” dürli komponentler we göterijiler üçin ýöriteleşdirilen tantal karbid (TaC) örtüklerini üpjün edýär.“Semicera” öňdebaryjy örtük prosesi tantal karbid (TaC) örtüklerine ýokary arassalygy, ýokary temperatura durnuklylygyny we ýokary himiki çydamlylygy gazanmaga, SIC / GAN kristallarynyň we EPI gatlaklarynyň önüminiň hilini ýokarlandyrmaga mümkinçilik berýär (Grafit bilen örtülen TaC duýgur) we esasy reaktor komponentleriniň ömrüni uzaltmak. Tantal karbid TaC örtüginiň ulanylmagy, gyradaky meseläni çözmek we hrustal ösüşiň hilini ýokarlandyrmakdyr, Semicera bolsa tantal karbid örtük tehnologiýasyny (CVD) halkara ösen derejä ýetirip, üstünlik gazandy.

Birnäçe ýyllyk ösüşden soň, Semicera tehnologiýasyny ýeňdiCVD TaCgözleg we barlag bölüminiň bilelikdäki tagallalary bilen. SiC wafli ösüş prosesinde kemçilikler ýüze çykýar, ýöne ulanylandan soňTaCtapawudy möhümdir. Aşakda TaC bilen we wafli wafli, şeýle hem Simiceranyň ýekeje kristal ösmegi üçin bölekleri deňeşdirilýär.

Tantal karbid bilen örtülen grafit sahypasynyň esasy artykmaçlyklary:

1. temperatureokary temperatura garşylyk: Tantal karbidi ýokary ereýän nokady we ajaýyp ýokary temperatura durnuklylygy bilen örtülen grafit sahypasyny ýokary temperatura şertlerinde ulanmak üçin amatly edýär.

2. Poslama garşylyk: Tantal karbid örtügi köp himiki poslaýjy maddalaryň eroziýasyna garşy durup biler we materialyň hyzmat möhletini uzaldyp biler.

3. hardokary gatylyk: Tantal karbid inçe gatlagynyň ýokary gatylygy, aşaga çydamlylygy üpjün edýär we ýokary könelişme talap edýän programmalar üçin amatlydyr.

4. Himiki durnuklylyk: Tantal karbid örtügi himiki poslama garşy ajaýyp durnuklylyga eýedir we käbir poslaýjy serişdelerde ulanmak üçin amatlydyr.

Efficiencyokary netijelilik tantal karbid örtügi_ senagat önümçiliginiň netijeliligini ýokarlandyrýar we tehniki hyzmat çykdajylaryny azaldýar Aýratyn surat

Singleeke kristalyň ösüşi üçin tak bölegi

Antiwear tantal karbid örtügi_ Enjamlary könelmekden we poslama garşy Aýratyn şekil

TaC örtükli ýüzükli grafit

bilen we TaC bilen

TaC ulanandan soň (sagda)

Mundan başga-da, Semicera'sTaC bilen örtülen önümlerbilen deňeşdirilende has uzak hyzmat ediş möhletini we has ýokary temperatura garşylygyny görkezýärSiC örtükleri.Laboratoriýa ölçegleri biziň muny görkezdiTaC örtükleriuzak wagtlap 2300 gradusa çenli temperaturada yzygiderli çykyş edip biler. Aşakda nusgalarymyzyň käbir mysallary: