Düşündiriş
Wafli daşaýjylarbilenSilikon karbid (SiC) örtükýarym ýarymdan ýokary öndürijilikli epitaksial ösüş üçin ussatlyk bilen döredilip, iň oňat netijeleri üpjün edýärSi EpitaxyweSiC Epitaxygoýmalary. “Semicera” -nyň takyk hereketlendirijileri aşa ýokary şertlere garşy durmak üçin gurlup, ýokary takyklygy we çydamlylygy talap edýän pudaklar üçin MOCVD Susceptor ulgamlarynda möhüm komponentlere öwrülýär.
Bu wafli göterijiler köptaraply bolup, ýaly enjamlar bilen möhüm prosesleri goldaýarlarPSS ýük daşaýjy, ICP ýük daşaýjy, weRTP daşaýjy. Olaryň ygtybarly SiC örtügi ýaly programmalar üçin öndürijiligi ýokarlandyrýarLED epitaksialSusseptor we monokristally kremniý, talap edilýän şertlerde-de yzygiderli netijeleri üpjün edýär.
Barrel Susceptor we Pancake Susceptor ýaly birnäçe konfigurasiýada bar bolan bu göterijiler fotoelektrik we ýarymgeçiriji önümçiliginde möhüm ähmiýete eýe bolup, Fotowoltaik bölekleriniň önümçiligini goldaýar we SiC Epitaxy proseslerinde GaN-ny ýeňilleşdirýär. Iň oňat dizaýny bilen bu göterijiler ýokary öndürijilikli önümçiligi maksat edinýän öndürijiler üçin esasy baýlykdyr.
Esasy aýratynlyklary
1 .Hokary arassalygy SiC örtülen grafit
2. Iň ýokary ýylylyga garşylyk we ýylylyk birmeňzeşligi
3. GowySiC kristal örtüklitekiz ýer üçin
4. Himiki arassalama garşy ýokary çydamlylyk
CVD-SIC örtükleriniň esasy aýratynlyklary:
| SiC-CVD | ||
| Dykyzlygy | (g / cc) | 3.21 |
| Fleksural güýç | (Mpa) | 470 |
| Malylylyk giňelmesi | (10-6 / K) | 4 |
| Malylylyk geçirijiligi | (W / mK) | 300 |
Gaplamak we eltip bermek
Üpjünçilik ukyby:
Aýda 10000 bölek / bölek
Gaplamak we eltip bermek:
Gaplamak: Standart we güýçli gaplamak
Poli halta + guty + karton + palet
Port:
Ningbo / Şençzhenen / Şanhaý
Gurşun wagty:
| Mukdary (bölekler) | 1-1000 | > 1000 |
| Est. Wagt (günler) | 30 | Gepleşik geçirmek |
