CVD SiC halkasyna üns beriň

Gysga düşündiriş:

Fokus CVD, ýörite reaksiýa şertlerini we material çökgünligine lokal fokus gözegçiligini gazanmak üçin gözegçilik parametrlerini ulanýan ýörite himiki bug çökdürmek usulydyr. Fokus CVD SiC halkalary taýýarlanylanda, fokus meýdany talap edilýän anyk görnüşi we ululygy emele getirmek üçin esasy depozit aljak halka gurluşynyň aýratyn bölegine degişlidir.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Näme üçin fokus CVD SiC halkasy?

Üns beriňCVD SiC halkasy“Focus Chemical Bap Deposition (Focus CVD)” tehnologiýasy tarapyndan taýýarlanan kremniy karbid (SiC) halka materialy.

Üns beriňCVD SiC halkasyköp ajaýyp öndürijilik aýratynlyklaryna eýedir. Birinjiden, ýokary gatylygy, ýokary ereýän nokady we ajaýyp ýokary temperatura garşylygy bar we aşa temperatura şertlerinde durnuklylygy we gurluş bitewiligini saklap biler. Ikinjiden, ünsi jemläňCVD SiC halkasyajaýyp himiki durnuklylyga we poslama garşylygy we kislotalar we aşgarlar ýaly poslaýjy serişdelere ýokary garşylygy bar. Mundan başga-da, ýokary ýylylyk geçirijiligi we mehaniki güýji, ýokary temperaturada, ýokary basyşda we poslaýjy şertlerde ulanmak talaplaryna laýyk gelýär.

Üns beriňCVD SiC halkasyköp ugurlarda giňden ulanylýar. Köplenç ýokary temperatura peçleri, wakuum enjamlary we himiki reaktorlar ýaly ýokary temperatura enjamlarynyň ýylylyk izolýasiýasy we gorag materiallary üçin ulanylýar. Mundan başga-da, fokus ediňCVD SiC halkasyýokary öndürijilikli daşky gurşawa çydamlylygy we ygtybarlylygy üpjün edip, optoelektronikada, ýarymgeçiriji önümçiliginde, takyk tehnikada we howa giňişliginde hem ulanylyp bilner.

Biziň artykmaçlygymyz, näme üçin Semicera saýlamaly?

China Hytaý bazarynda ýokary hilli

“Gowy hyzmat elmydama siziň üçin, 7 * 24 sagat

DeliverySiz gowşurylan senesi

“Kiçijik MOQ hoş geldiňiz we kabul edildi

OstHörite hyzmatlar

Arza

Epitaksi ösüşiniň duýgurlygy

Silikon / kremniy karbid wafli, elektron enjamlarynda ulanmak üçin birnäçe prosesi başdan geçirmeli. Möhüm proses, kremniniň / sik epitaksidir, onda kremniý / sik wafli grafit bazasynda amala aşyrylýar. “Semicera” -nyň kremniý karbid bilen örtülen grafit bazasynyň aýratyn artykmaçlyklary aşa ýokary arassalygy, birmeňzeş örtük we örän uzak ömri öz içine alýar. Şeýle hem ýokary himiki garşylyk we ýylylyk durnuklylygy bar.

Silikon epitaksi şübheli

Silikon Karbid epitaksiýa duýgurlygy

LED çip öndürmek

MOCVD reaktorynyň giň örtügi wagtynda planetar bazasy ýa-da daşaýjy substrat wafli hereket edýär. Esasy materialyň öndürijiligi örtügiň hiline uly täsir edýär, bu bolsa öz gezeginde çipiň döwülmegine täsir edýär. “Semicera” -yň kremniy karbid bilen örtülen bazasy ýokary hilli LED wafli önümçiliginiň netijeliligini ýokarlandyrýar we tolkun uzynlygynyň gyşarmagyny azaldýar. Şeýle hem häzirki wagtda ulanylýan ähli MOCVD reaktorlary üçin goşmaça grafit komponentleri bilen üpjün edýäris. Silikon karbid örtügi bilen islendik komponenti diýen ýaly örtüp bileris, komponentiň diametri 1,5 metre çenli bolsa-da, kremniy karbid bilen örtüp bileris.

LED epitaksi duýgur

Ondarymgeçiriji meýdan, okislenme diffuziýa prosesi, We ş.m.

Ondarymgeçiriji prosesinde okislenmegi giňeltmek prosesi ýokary önüm arassalygyny talap edýär we Semicera-da kremniniň karbid bölekleriniň köpüsi üçin ýörite we CVD örtük hyzmatlaryny hödürleýäris.

Aşakdaky suratda Semisýanyň gödek gaýtadan işlenen kremniy karbid süýümi we 100-de arassalanan kremniy karbid peç turbasy görkezilýär.0derejetozansyzotag. Işçilerimiz örtükden öň işleýärler. Silikon karbidimiziň arassalygy 99,99% -e, sik örtüginiň arassalygy 99.99995% -den ýokary bolup biler.