Purokary arassalyk tantal karbid önümini özleşdirmek

Gysga düşündiriş:

TaC örtügi, SiC-den has ýokary temperatura durnuklylygy bolan ýokary temperatura çydamly materialyň täze nesli, sebäbi poslama garşy örtük, okislenmä garşy örtük, çydamly örtük, 2000 above-dan ýokary gurşawda ulanylyp bilner, howa giňişliginde ultra- ýokary temperatura gyzgyn uç bölekleri, ýarymgeçirijiniň üçünji nesli ýeke kristal ösüşi we beýleki meýdanlar.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

“Semicera Semicera” dürli komponentler we göterijiler üçin ýöriteleşdirilen tantal karbid (TaC) örtüklerini üpjün edýär.Semicera Semicera öňdebaryjy örtük prosesi, tantal karbid (TaC) örtüklerine ýokary arassalygy, ýokary temperatura durnuklylygyny we ýokary himiki çydamlylygy, SIC / GAN kristallarynyň we EPI gatlaklarynyň önüminiň hilini ýokarlandyrmaga mümkinçilik berýär (Grafit bilen örtülen TaC duýgur) we esasy reaktor komponentleriniň ömrüni uzaltmak.Tantal karbid TaC örtüginiň ulanylmagy, gyradaky meseläni çözmek we hrustal ösüşiň hilini ýokarlandyrmakdyr, Semicera Semicera bolsa tantal karbid örtük tehnologiýasyny (CVD) halkara ösen derejä ýetirip, üstünlik gazandy.

Birnäçe ýyllyk ösüşden soň, Semicera tehnologiýasyny ýeňdiCVD TaCgözleg we barlag bölüminiň bilelikdäki tagallalary bilen.SiC wafli ösüş prosesinde kemçilikler ýüze çykýar, ýöne ulanylandan soňTaCtapawudy möhümdir.Aşakda TaC bilen we wafli wafli, şeýle hem ýekeje hrustal ösmek üçin Simiceranyň bölekleri deňeşdirilýär

Singleeke kristalyň ösüşi üçin tak bölegi

Antiwear tantal karbid örtügi_ Enjamlary könelmekden we poslama garşy Aýratyn şekil

TaC örtükli ýüzükli grafit

bilen we TaC bilen

TaC ulanandan soň (sagda)

Mundan başga-da, “Semicera” -yň TaC örtük önümleriniň hyzmat ediş möhleti, SiC örtüginden has ýokary we ýokary temperatura çydamlydyr.Laboratoriýa ölçeg maglumatlaryndan uzak wagtlap, TaC-ymyz iň köp 2300 dereje Selsiýada uzak wagtlap işläp biler.Aşakdaky käbir mysallarymyz: