Düşündiriş
TheSilikon Karbid (SiC) Wafer duýgurlaryicarym ýarymdan MOCVD üçin, ikisi üçin has ýokary öndürijilik hödürleýän ösen epitaksial prosesler üçin niýetlenendirSi EpitaxyweSiC Epitaxygoýmalary. “Semicera” -nyň innowasiýa çemeleşmesi, bu duýgurlaryň çydamly we täsirli bolmagyny üpjün edýär, möhüm önümçilik amallary üçin durnuklylygy we takyklygy üpjün edýär.
Çylşyrymly zerurlyklary goldamak üçin işlenip düzüldiMOCVD Susseptorulgamlar, bu önümler köp taraply, PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier we RTP Carrier ýaly göterijiler bilen utgaşykly. Olaryň çeýeligi, ýokary tehnologiýaly pudaklar, şol sanda işleýänler üçin amatly edýärLED epitaksialSusseptor we monokristally kremniý.
Barrel Susceptor we Pancake Susceptor ýaly köp konfigurasiýa bilen, bu wafli duýgurlar, fotowoltaik bölekleriniň önümçiligini goldaýan fotowoltaik sektorynda-da möhümdir. Ondarymgeçiriji öndürijiler üçin GaN-i SiC Epitaxy proseslerinde dolandyrmak ukyby bu duýgurlary köp sanly programma boýunça ýokary hilli önüm çykarmak üçin ýokary gymmatly edýär.
Esasy aýratynlyklary
1 .Hokary arassalygy SiC örtülen grafit
2. Iň ýokary ýylylyga garşylyk we ýylylyk birmeňzeşligi
3. GowySiC kristal örtüklitekiz ýer üçin
4. Himiki arassalama garşy ýokary çydamlylyk
CVD-SIC örtükleriniň esasy aýratynlyklary:
| SiC-CVD | ||
| Dykyzlygy | (g / cc) | 3.21 |
| Fleksural güýç | (Mpa) | 470 |
| Malylylyk giňelmesi | (10-6 / K) | 4 |
| Malylylyk geçirijiligi | (W / mK) | 300 |
Gaplamak we eltip bermek
Üpjünçilik ukyby:
Aýda 10000 bölek / bölek
Gaplamak we eltip bermek:
Gaplamak: Standart we güýçli gaplamak
Poli halta + guty + karton + palet
Port:
Ningbo / Şençzhenen / Şanhaý
Gurşun wagty:
| Mukdary (bölekler) | 1-1000 | > 1000 |
| Est. Wagt (günler) | 30 | Gepleşik geçirmek |
