Ondarymgeçirijikremniy karbid (SiC) wafli, bu täze material soňky ýyllarda kem-kemden ýüze çykdy, özboluşly fiziki we himiki aýratynlyklary bilen ýarymgeçiriji pudagy üçin täze jan berdi.SiC waflimonokristallary çig mal hökmünde ulanyp, himiki bug çöketligi (CVD) bilen seresaplylyk bilen ösdürilýär we daşky görnüşi ýokary temperatura, ýokary ýygylyk we ýokary güýçli elektron enjamlaryny öndürmek üçin mümkinçilik döredýär.
Elektronika pudagynda,SiC wafliýokary öndürijilikli güýç öwrüjilerini, zarýad berijileri, elektrik üpjünçiligini we beýleki önümleri öndürmekde ulanylýar. Aragatnaşyk pudagynda ýokary ýygylykly we ýokary tizlikli RF enjamlary we optoelektron enjamlary öndürmek üçin ulanylýar, maglumat döwrüniň uly ýoluna berk binýat goýýar. Awtoulag elektronikasy pudagynda,SiC wafliSürüjiniň sürüjilik howpsuzlygyny goramak üçin ýokary woltly, ýokary ygtybarly awtoulag elektron enjamlaryny dörediň.
Tehnologiýanyň yzygiderli ösüşi bilen önümçilik tehnologiýasySiC waflibarha ösýär we bahasy kem-kemden peselýär. Bu täze material enjamyň işleýşini gowulandyrmakda, energiýa sarp edilişini azaltmakda we önümiň bäsdeşlige ukyplylygyny ýokarlandyrmakda uly mümkinçilikleri görkezýär. Öňe seredip,SiC wafliýarymgeçiriji pudagynda durmuşymyza has amatlylyk we howpsuzlyk getirip, has möhüm rol oýnar.
Geliň, bu ajaýyp ýarymgeçiriji ýyldyz - SiC wafli, has ajaýyp bölümi beýan etmek üçin ylmy we tehnologiki ösüşiň geljegine sabyrsyzlyk bilen garaşalyň.
Iş wagty: 27-2023-nji noýabr