Icarymbilen tanyşdyrýar850V ýokary güýçli GaN-on-Si Epi Wafer, ýarymgeçiriji innowasiýasynda öňe gidişlik. Bu ösen epi wafli, Gallium Nitride (GaN) -yň ýokary netijeliligini Silikonyň (Si) tygşytlylygy bilen birleşdirip, ýokary woltly programmalar üçin güýçli çözgüt döredýär.
Esasy aýratynlyklary:
•Volokary woltly işlemek: 850V çenli goldaw bermek üçin döredilen bu GaN-on-Si Epi Wafer, has ýokary netijeliligi we öndürijiligi üpjün edip, elektrik elektronikasyny talap etmek üçin amatlydyr.
•Güýçli dykyzlyk: Iň ýokary elektron hereketi we ýylylyk geçirijiligi bilen, GaN tehnologiýasy ykjam dizaýnlara we güýç dykyzlygyny ýokarlandyrmaga mümkinçilik berýär.
•Çykdajyly çözgüt: Silikony substrat hökmünde ulanmak bilen, bu epi wafli hiline ýa-da öndürijiligine zyýan bermezden, adaty GaN wafli üçin tygşytly alternatiwa hödürleýär.
•Giňişleýin aralyk: Ygtybarlylygy we berkligi üpjün edip, güýç öwrüjilerinde, RF güýçlendirijilerinde we beýleki ýokary güýçli elektron enjamlarynda ulanmak üçin ajaýyp.
“Semicera” bilen ýokary woltly tehnologiýanyň geljegini öwreniň850V ýokary güýçli GaN-on-Si Epi Wafer. Öňdebaryjy programmalar üçin niýetlenen bu önüm, elektron enjamlaryňyzyň iň ýokary netijelilik we ygtybarlylyk bilen işlemegini üpjün edýär. Indiki nesil ýarymgeçiriji zerurlyklary üçin “Semicera” -ny saýlaň.
| Harytlar | Önümçilik | Gözleg | Dummy |
| Kristal parametrler | |||
| Politip | 4H | ||
| Faceerüsti ugrukdyryş säwligi | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Elektrik parametrleri | |||
| Dopant | n görnüşli azot | ||
| Çydamlylyk | 0.015-0.025ohm · sm | ||
| Mehaniki parametrler | |||
| Diametri | 150.0 ± 0,2mm | ||
| Galyňlyk | 350 ± 25 μm | ||
| Esasy tekiz ugry | [1-100] ± 5 ° | ||
| Esasy tekiz uzynlyk | 47.5 ± 1,5mm | ||
| Ikinji kwartira | Hiç | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| Aý | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Öň (Si-face) gödeklik (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Gurluşy | |||
| Mikrop turbanyň dykyzlygy | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Metal hapalar | ≤5E10atoms / cm2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Öň hili | |||
| Öň tarapy | Si | ||
| Faceerüsti gutarmak | Si-ýüzli CMP | ||
| Bölejikler | ≤60ea / wafli (ölçegi≥0.3μm) | NA | |
| Dyrnaklar | ≤5ea / mm. Jemi uzynlygy ≤Diameter | Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA |
| Pyrtykal gabygy / çukur / tegmiller / çişmeler / çatryklar / hapalanma | Hiç | NA | |
| Gyrasy çipler / indentler / döwük / alty plastinka | Hiç | ||
| Polip görnüşleri | Hiç | Jemi meýdany≤20% | Jemi meýdany ≤30% |
| Öňki lazer belligi | Hiç | ||
| Yzky hil | |||
| Yzyna | C ýüzli CMP | ||
| Dyrnaklar | ≤5ea / mm, Jemi uzynlygy≤2 * Diametri | NA | |
| Yzky kemçilikler (gyrasy çipler / görkezijiler) | Hiç | ||
| Yzky gödeklik | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Yzky lazer belligi | 1 mm (ýokarky gyradan) | ||
| Gyrasy | |||
| Gyrasy | Çamfer | ||
| Gaplamak | |||
| Gaplamak | Wakuum gaplamak bilen epi taýýar Köp wafli kaseta gaplamasy | ||
| * Bellikler NA "NA" haýyş ýok, agzalmadyk zatlar SEMI-STD-e degişli bolup bilmez. | |||
